ICS77.040 H21 备案号： SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11627—2016 太阳能电池用硅片电阻率在线测试方法 Online test methods for resistivity of silicon wafers for solar cell 2016-04-05发布 2016-09-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11627—2016 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)提出. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口. 本标准起草单位：中国有色金属工业标准计量质量研究所、瑟米莱伯贸易（上海）有限公司、江苏 协鑫硅材料科技发展有限公司、中电投西安太阳能 内有限公司、不津市环欧半导体材料技术有限公司. 本标准主要起草人：孟牙、贺东注、王海方、抗美 ECHINO 黄黎、吕喜臣、高树良. UST OF IND AULSININ SJ STANDARDS I SJ/T116272016 太阳能电池用硅片电阻率在线测试方法 1范围 本标准规定了太阳能电池用硅片电阻率在线测试的方法. 本标准适用于测试边长大于25mm、厚度为0.1mm~0.5mm的太阳能电池用硅片（简称硅片）的电 阻率.测试范围为1.0×103Qcm~2X10㎡2cm. 2规范性引用文件 AND INFORM 下列文件对于本文件的月 是 不可少的.凡是注日期的引用 件注图期的版本适用于本文件. 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于 GB/T6616 体硅片电阻率及 惠层电阻测试方法非接触涡流法 GB/T14264 体材料 GB/T2607 太阳能电池硅单切割人 GB/T29055 阳电池用晶硅片 3术语和定义 之 GB/T6616、 GBT14264、GBT26071和GB/T29055定时术语和定义适月 本 文件. 4方法提要 硅片电阻率在线测试来用非接触涡流法.通过传送装置，硅片被传送到测试装置，硅片平插入共 轴涡流探头之间的间隙内，与振荡回路相连接的两个涡流探头之间的交变场硅片上感应产生涡流 则激励电流值的变化是硅片电子的函数通过测试激励电流的变化 可测得试样的电导.通过测厚仪实 时测试电阻率测试区域的硅片厚度 从而计算出对应的电阻 NDA 5干扰因素 5.1GB/T6616规定的干扰因素都适用于本标准. 5.2传送装置的速度若非匀速会导致电阻率测试结果发生偏差. 5.3传送装置的振动幅度对电阻率测试有直接的影响. 5.4传送装置若有多个传送部分，则各部分速度应保持一致，否则会造成硅片偏转，影响测试. 5.5硅片水平位置的变化会导致测试点的变化，从而导致电阻率测试结果发生偏差. 5.6硅片中存在高密度晶界时，可能会导致测试的电阻率结果偏高，需要提高测试探头内部交流电线 圈的频率进行测试，参见附录A. 6仪器设备 1 ...
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