ICS31.080.30 L42 备案号： SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T1477—2016 代替SJ/T1477-1979 半导体分立器件 3CG120型硅PNP高频小功率晶体管 详细规范 Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3CG120 high frequency low power PNP silicon transistor 2016-04-05发布 2016-09-01实施 SJ Y 中华人民共和国工业和信息化部发布 2016 SJ/T1477—2016 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准代替SJ/T1477一1979.与SJ/T1477一1979相比，本标准主要技术变化如下： 一本标准依据GB/T4589.1一2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》. 一本标准外形尺寸、测试方法、试验方法引用相应的现行国家标准. —原标准3CG120型PNP硅外延平面三极管规范表中共基极输出电容测试条件5MHz 本标准表2 电特性5.15中共基极输出电容测试条付 改测 ——本标准增加了极限值参数 cB0美见4.3)和电特性 高混下的截止电流IcB02(见5.8)，IcBo1 (新版见5.7，版见CG120型PNP硅外延平面三极管规范表)测试条件由VCB=-10V改为 VCB=VCBO 新版见5.7，旧版见3CG120型PNP硅外延平面三极管规范表)测试条件由 VcE=-10V政为e CEo IEBo(新版见A2b分组，旧版见3CG120型EP外延平面三极管规范 表)测试条件由VEBB 删掉了交流参数Kp和M(见旧版3CG120型PNP硅外 延平面 E 管规范表 请注意本文件的某些内容能涉及专利.本政件的发布机构不承担识别意些专利的责任. o 本标准由全 导体器件准化教术归口. 本标准起草单位：济南市 LSINIIW CHNOLOGY STANDARDS I SJ/T1477-2016 引言 本标准适用于3CG120型硅PNP高频小功率晶体管.本标准按照GB/T6217一1998《半导体器件分 立器件第部分：双极型晶体管第一篇高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范》制定， 符合GB/T4589.1一2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》Ⅱ类和GB/T12560一 1999《半导体器件分立器件分规范》的要求. II ...
SJ/T 1477-2016 半导体分立器件 3CG120型硅PNP高频小功率晶体管详细规范.pdf
