ICS31.080.30 L42 备案号： SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T18302016 代替SJ/T1830-1981 半导体分立器件 3DK101型NPN硅小功率开关晶体管 详细规范 Semiconductor discrete devices Detail specification for silicon NPN low power switching transistor type 3DK101 2016-04-05发布 2016-09-01实施 A SJ 2016 ANDARDS 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T1830—2016 前 言 本规定按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本规定代替SJ/T1830一1981.与SJ/T1830一1981相比，本规定主要技术变化如下： 一本规定外形尺寸、测试方法、试验方法引用相应的现行国家标准. 一原标准开关参数t(载流子贮存时间)和（下降时间）在本规定中合并为tor(关断时间)， 即toittro 请注意本文件的某些内容可能涉及专利作的限布机构不承担识别这些专利的责任. 本规定由全国半导体器件标化技术委员会归口 本规定起草单位： :石家安林石无二电子有限公司. 本规定主要起草人 心滨 宋凤领吕瑞芹. 本规定于1981年 发布，本次为第一次修订. MULSINIW ON TECHNOL SJ STANDARDS I SJ/T18302016 引言 本规范适用于3DK101型NPN硅小功率开关晶体管.本规范按照GB/T6218一1996《开关用双极型晶体 管空白详细规范》制定，符合GB/T4589.1一2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规 范》Ⅱ类和GB/T12560一1999《半导体器件分立器件分规范》的规定. II ...
SJ/T 1830-2016 半导体分立器件 3DK101型NPN硅小功率开关晶体管详细规范.pdf
