ICS 31.080 L 54 SJ 备案号： 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T2217--2014 代替SJ/T2217-1982 硅光电晶体管技术规范 Technicalspecificationforphototransistor of silicon 2014-10-14发布 2015-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布
SJ/T22.17-2014 前言 本规范按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。
本规范代替SJ/T2217-1982《硅光敏三极管》。
本规范与SJ/T2217-1982相比主要变化如下： 第1章，将原适用于3DU10～82改为适用于3DU系列。
，， 器件结构增加了“Φ1.6mm”的外形结构（见附录A）。
器件的设计参数增加了光谱响应范围（见4.1.3）。
增加了绝对最大额定值的规定（见4.2）。
-增加了“集电极-发射极饱和电压、发射极-集电极击穿电压的规定（见表2）。
删除参数水平较低的参数如：V(BRCE≥15V和V(RM)CE≥10V，光照下的反向电流为0.5mA、 1.0mA、1mA~2mA等。
增加了最低贮存温度的要求（见表1）。
高温测试的温度由原85C提高到100℃。
增加了“外观质量”的规定（见4.4）。
"质量评定程序所执行的上层标准，由原SJ/T2213一1982《半导体光敏管、光耦合器总技术条 件》改为执行GB/T4589.1一2006《半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范》、 GB/T12565-1990《半导体器件光电子器件分规范》（见6.1）。
增加了结构相似器件的相关规定（见6.3）。
-增加了第7章“附加说明”。
-删除了原附录A“光敏三极管参数符号说明”。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。
本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本规范由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。
本规范起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院、北京瑞普北光电子有限公司、中国电子 集团公司第四十四研究所。
本规范主要起草人：陈兰、郭德卫、郭萍。
本规范历次发布版本情况：SJ/T2217-1982。
SJ/T 2217--2014 硅光电晶体管技术规范 1范围 本规范规定了硅光电晶体管（以下简称“器件”）光电特性、机械特性和环境性能的技术要求、检 验方法和检验规则。
本规范适用于3DU系列硅光电晶体管。
2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。
凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件。
GB/T2423.1电工电子产品环境试验第1部分：试验方法试验A：低温 GB/T2423.2电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验B：高温 GB/T2828.1一2003计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T4589.1一2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T4937（部分）半导体器件机械和气候试验方法 GB/T11499一2001半导体分立器件文字符号 GB/T12565一1990半导体器件光电子器件分规范 GB/T15651半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件 SJ/T2247一1982半导体光电子器件外形尺寸 3术语、定义和符号 GB/T11499-2001和GB/T15651界定的术语、定义和符号适用于本文件。
4要求 4.1设计和结构 4.1.1器件为金属玻璃光窗或金属陶瓷玻璃光窗封装结构，芯片结构分为单晶体管型和复合晶体管型 （达林顿型）。
4.1.2器件的外形尺寸按SJ/T2247--1982的GD2、GD1-2和本规范附录A的规定。
4.1.3器件的光谱响应范围为0.4μm~1.1um。
4.2绝对最大额定值 器件的绝对最大额定值见表1。
除另有规定外，这些数值适用于整个工作温度范围。
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SJ/T 2217-2014 表1绝对最大额定值 特性 符号 数值 单位 外形和/或芯片结构 最小 最大 工作环境温度 T -45 100 c 管型 贮存温度 Tg -55 150 c 管型 集电极一发射极电压 VEO 单晶体管型GD2 30 v 复合晶体管型GD1-2 50 v 单晶体管型GD1-2和附录A " 100 v 单品体管型GD1-2 耗散功率* Pot 75 mW 单晶体管型 100 mW 复合晶体管型 耗散功率的降额系数按相关文件的规定。
4.3 光电特性 器件的光电特性见表2。
表2光电特性 测量条件 数值 除另有规定外 ：外形和/...
