ICS31.080 L53 备案号：52028-2015 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T2658.1-2015 代替SJ/T2658.1-1986 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分：总则 Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode Part1:General 2015-10-10发布 2016-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布
SJ/T2658.1-2015 前言 SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》拟分成部分出版，目前计划发布如下部分： 第1部分：总则； 第2部分：正向电压； 第3部分：反向电压和反向电流； 第4部分：总电容； 第5部分：串联电阻 第6部分：辐射功率： RY AND 第7部分：辐射通量 第8部分：辐射强度 第9部分 辐射强度空间分布和半强度角； 第10部分调制带宽 第11部分：响应时间 第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽； 第13部分！
辐射功率温度系数 第14部分：结温； 第15部分：热阻； 第16部分：光电转换效率 本部分为SJ/T2658的第1部分。
本部分依据GB/T1.1- -2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。
本部分代替SJ/T26581-1986《半导体红外发光二极管测试方法总则》除编辑性修改外主要技 术变化如下： 删除了对光学参数的测试误差要求（见SJ/T2658.1-1986中的11.21.3）； 删除了对直流电压表内阻的要求（见SJ/T2658.1一1986中的22） 将部分测试仪表的误差范围要求调整为适用的准确度要求（见3.1，3.2），并增加了对示波器 增加了对电源的电压稳定度要求（见3.2） 修改了标准大气条件中对相对湿度的要求（见3.3.1）； 补充了仲裁大气条件（见3.3.2）和其他环境条件（见3.3.3）。
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本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。
本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院。
本部分主要起草人：张戈、赵英。
本部分所代替标准的历次版本发布情况为： SJ/T2658.1-1986
SJ/T2658.1-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分：总则 1范围 本部分规定了对半导体红外发射二极管（以下简称器件）进行光电参数测量的一般要求，包括测试 仪表的误差范围、电源的性能要求以及测试环境条件。
本部分适用于半导体红外发射二极管。
2规范性引用文件 本章无内容。
3一般要求 3.1测试仪表 3.1.1通则 各有关光电参数的测试仪器应预先进行计量检定或校准。
3.1.2直流测试仪表 直流测试仪表的准确度应优于0.5%。
3.1.3交流测试仪表 3.1.3.1电容仪 电容仪的准确度应优于1%。
3.1.3.2工作点指示用电表 工作点指示用电表的准确度应优于2.5%。
3.1.4示波器 示波器的响应时间应满足测量准确度的要求。
3.2电源 测量设备中用交流整流作直流电源时，波纹系数应不大于0.1%，电压稳定度应优于1%。
3.3测试环境条件 3.3.1标准大气条件
SJ/T2658.1-2015 光电参数的测量均应在标准大气条件下进行，特殊要求在相应的产品标准与技术条件中规定。
标准大气条件： a) 环境温度：15°℃~35℃； b) 相对湿度：25%~75%； 大气压强：86kPa~106kPa。
3.3.2 仲裁大气条件 如果被测参数受到环境温度、相对湿度及大气压强的影响，则可在下列仲裁大气条件下进行测量 特殊要求在产品标准及技术条件中规定。
仲裁大气条件： 温度：25C±1℃； 相对湿度：48%~52%； 3.3.3 其他环境条件 除另有规定外，其他环境条件应按下列规定 a) 测试环境应无影响测量准确度的机械振动、电磁、静电和光照等干扰： b) 器件全部光电参数均应在热平衡下进行（要有足够的测量预热时间）； C 测量系统应按地良好。
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SJ/T2658.1-2015 中华人民共和国 电子行业标准 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分：总则 SJ/T2658.1-2015 * 中国电子技术标准化研究院编制 中国电子技术标准化研究院发行 电话：（010）64102612传真：（010） 地址：北京市安定门东大街1号 邮编：100007 网址： 开本：880×12301/16印张： 字数：12千字 2 2015年12月第一版2015年12月第一次印刷 印数：200册定价：20.00元 不得 ：（010）...
