ICS31.080 L53 备案号：52038-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T2658.11-2015 代替SJ/T2658.11一1986 半导体红外发射二极管测量方法 第11部分：响应时间 Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode -Part 11:Response time 2015-10-10发布 2016-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T2658.11-2015 前言 SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分： 第1部分：总则； 第2部分：正向电压； 第3部分：反向电压和反向电流： 第4部分：总电容： 第5部分：串联电阻 第6部分：辐射功率 AND Y 第7部分：辐射通量 第8部分：辐射度 —第9部分：霜射强度空间分布和半强度角； —第10部分调制带宽 —第11部分响应时间： —第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽； —第13部分：辐射功率温度系数： —第14部分：结温； —第15部分：热阻： FORMATION TECHNO —第16部分：光电转换效 本部分为S3658的第11部分 本部分按照BT11一2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草. 本部分代替了2658.11一1986《半导体红外发光二极管测试方法脉冲响应特性的测试方法》， 除编辑性修改外主要技术变化如下： —一响应时间的定义中补充了半导体红外发射二极管的响应过程图（见图）； 修改了响应时间的测量原理图（见图2）； 修改了响应时间的测量步骤（见5.2）： RD 补充了响应时间测量方法的规定条件（见 3 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口. 本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院. 本部分主要起草人：张戈、赵英. 本部分所代替标准的历次版本发布情况为： SJ/T2658.11—1986. I SJ/T2658.11-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第11部分：响应时间 1范围 本部分规定了半导体红外发射二极管（以下简称器件）响应时间的测量原理图、测量步骤以及规定 条件. 本部分适用于半导体红外发射二 2规范性引用文件 ISTRY INFORMAT 下列文件对于本交件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件. 凡是不注日期的用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. 5J SJ/T2658 半导体红外发射二极管测量方法第1部分： 、贝 3术语和定义 3.1 CHNOLO 响应时间 response time 在规定的正向短形脉中电流作用下，被测器件辐射的光脉冲对作用的矩形电流脉冲的响应时间.其 中，从电脉冲幅度的10%到光脉冲幅度的10%所需的时间间隔为开通延迟时间o);从光脉冲幅度的 10%上升到90%所需的时间间隔为上升时间t;被测器件的开通时间1o为开通延迟时间tao)与上升时 间t之和；从电脉冲幅度的90%到光脉冲幅度的90%所需的时间间隔为关断延迟时间taom 从光脉冲 幅度的90%下降到10%所需的时 间间隔为下降时间6关断时间tor为关断延迟时间ta(of)与下降时间t 之和（见图1）. A NDA 1 ...
SJ/T 2658.11-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第11部分：响应时间.pdf
