ICS31.080 L53 备案号：52040-2015 S 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T2658.13-2015 代替SJ/T2658.13-1986 半导体红外发射二极管测量方法 第13部分：辐射功率温度系数 Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode -Part13:Temperaturecoefficientforradiantpower 2015-10-10发布 2016-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布
SJ/T2658.13-2015 前言 SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分： 第1部分：总则； 第2部分：正向电压； 第3部分：反向电压和反向电流； 第4部分：总电容； 第5部分：串联电阻 第6部分：辐射功率 第7部分：辐射通 第8部分：辐射强度 第9部分：辐射强度空间分布和半强度角： 第10部分调制带宽 第11部分：响应时闻 第12部分峰值发射波长和光谱辐射带宽； 第13部分：辐射功率温度系数： 第14部分：结温； 第15部分：热阻； 第16部分：光电转换效率 本部分为SJT2658的第13部分。
本部分按照GBT11-2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。
本部分代替SJ2658.13一1986《半导体红外发光二极管测试方法输出光功率温度系数的测量方 法》，除编辑性修改外主要技术变化如下： 修改了辐射功率温度系数的定义（见3.1）： 修改了辐射功率温度系数的测量原理图（见图1） 细化了辐射功率温度系数的测量步骤（见5.2） R 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。
本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。
本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院 本部分主要起草人：张戈、赵英。
本部分所代替标准的历次版本发布情况为： SJ/T2658.13-1986。
SJ/T2658.13-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第13部分：辐射功率温度系数 1范围 本部分规定了半导体红外发射二极管（以下简称器件）辐射功率温度系数的测量原理图、测量步骤 以及规定条件。
本部分适用于半导体红外发射二极管。
2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。
凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件。
SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则 SJ/T2658.6半导体红外发射二极管测量方法第6部分：辐射功率 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。
3.1 辐射功率温度系数temperaturecoefficientforradiantpower 在规定的正向工作电流和温度范围内，器件辐射功率的变化量与温度变化量的比值。
辐射功率温度系数按公式（1）计算： Q。
=△P/△T........ .......(1) 式中： Qe 辐射功率温度系数，单位为毫瓦每摄氏度或微瓦每摄氏度（mW/C或uW/℃）； △Pe- 辐射功率的变化量，单位为毫瓦或微瓦（mW或uW）； △T 环境温度的变化量，单位为摄氏度（℃）。
4一般要求 测量辐射功率温度系数的一般要求应符合SJ/T2658.1的规定。
5测量方法 5.1测量原理图 辐射功率温度系数的测量原理图见图1。
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SJ/T2658.13-2015 指示用电表 积分球 探测头 探测系统 TCS 遮光屏 G2 F 说明： DUT- 被测器件： G 电流源： G 温度控制电源： A 电流表： INC TCS- 控温装置 注：被测器件发时的光辐射经积分球壁多次反射，在球壁产生与辐射功萃成比例的均匀光，探测系统的探测头位于 积分球内壁测量光辐射：遮光屏为探测器屏蔽了来自被测器件的直接辐射： 匀度、高反射系数（不小于08）的漫反射镀层；球和探测器组合应该校准，应该考虑到辐射功率由于功率消耗 产生的变化。
控温装置的准确度应优于土10 辐射功率温度系数测量原理图 5.2 测量步骤 辐射功率温度系数的测量按下列步骤进行： a) 按图1连接测量系统，并进行仪器预热，施加正向电流使其达到规定值I，控温装置工作于规 定的温度范围内； b) 在规定的温度范围内至少选取10个温度点，并在每个温度点处恒温（恒温时间不小于15min） 后按SJ/T2658.6中的积分球法测量相应的辐射功率，绘出辐射功率随温度变化特性曲线； 在辐射功率随温度变化特性曲线的线性区内选取两个温度点T和T2，读取T、T2对应的辐射 功率值Pe和Pe2...
