SJ/T 2658.3-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第3部分:反向电压和反向电流.pdf

其他规范
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ICS 31.080 L53 备案号:52030-2015 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T 2658.3-2015 代替SJ/T2658.3-1986 半导体红外发射二极管测量方法 第3部分:反向电压和反向电流 Measuring method for semiconductorinfrared-emitting diode -Part 3:Reversevoltage and reverse current 2015-10-10发布 2016-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布
SJ/T2658.3-2015 前言 SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分: 第1部分:总则; 第2部分:正向电压; -第3部分:反向电压和反向电流; 第4部分:总电容; 第5部分:串联电阻: -第6部分:辐射功率: 第8部分: 福射强度 第9部分 插射强 带宽 第11部 响应时间 第12 值发射 第13 部务!

射功率 滋度系数 第14 部分 结温; 第15部分热阻; 第16部分:光电转换效率 本部分为SIT2658的第3部分。

本部分依据GBFT11 -2009《标准化工作导则第1部分:标准的结构和编写》给出的规则起草。

本部分代替SIT2658.3 1986《半导体红外发光二极管测试方法反向电压的测试方法》,除编辑 性修改外主要技术变化如不: 修改了反向电压测量原理图中稳压源的符号(见图1): 细化了反向电压的测量步骤(见5.2); 补充了反向电压测量方法的规定条件(见5.3) RDS 补充了反向电流的测量步骤(见6.2)及规定条件(见6.3) 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。

本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。

本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。

本部分起草单位:工业和信息化部电子工业标准化研究院。

本部分主要起草人:张戈、赵英。

本部分所代替标准的历次版本发布情况为: SJ/T 2658.3-1986。

I
SJ/T2658.3-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第3部分:反向电压和反向电流 1范围 本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)反向电压和反向电流的测量原理图、测量步 骤以及规定条件。

本部分适用于半导体红外发射二极管。

2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。

凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。

凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括的修改单)适用于本文件。

GB/T15651一1995半导体器件分立器件和集成电路第5部分:光电子器件 SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分:总则 3术语和定义 GB/T15651一1995界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3. 1 反向电压reversevoltage VR 通过器件的反向电流为规定值时,其两极间产生的电压降。

4一般要求 测量反向电压和反向电流的一般要求应符合SJ/T2658.1。

5反向电压的测量 5.1测量原理图 反向电压的测量原理图见图1。

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