ICS 31.080 L53 备案号：52030-2015 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T 2658.3-2015 代替SJ/T2658.3-1986 半导体红外发射二极管测量方法 第3部分：反向电压和反向电流 Measuring method for semiconductorinfrared-emitting diode -Part 3:Reversevoltage and reverse current 2015-10-10发布 2016-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布
SJ/T2658.3-2015 前言 SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分： 第1部分：总则； 第2部分：正向电压； -第3部分：反向电压和反向电流； 第4部分：总电容； 第5部分：串联电阻： -第6部分：辐射功率： 第8部分： 福射强度 第9部分 插射强 带宽 第11部 响应时间 第12 值发射 第13 部务！
射功率 滋度系数 第14 部分 结温； 第15部分热阻； 第16部分：光电转换效率 本部分为SIT2658的第3部分。
本部分依据GBFT11 -2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。
本部分代替SIT2658.3 1986《半导体红外发光二极管测试方法反向电压的测试方法》，除编辑 性修改外主要技术变化如不： 修改了反向电压测量原理图中稳压源的符号（见图1）： 细化了反向电压的测量步骤（见5.2）； 补充了反向电压测量方法的规定条件（见5.3） RDS 补充了反向电流的测量步骤（见6.2）及规定条件（见6.3） 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。
本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。
本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院。
本部分主要起草人：张戈、赵英。
本部分所代替标准的历次版本发布情况为： SJ/T 2658.3-1986。
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SJ/T2658.3-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第3部分：反向电压和反向电流 1范围 本部分规定了半导体红外发射二极管（以下简称器件）反向电压和反向电流的测量原理图、测量步 骤以及规定条件。
本部分适用于半导体红外发射二极管。
2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。
凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。
凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件。
GB/T15651一1995半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件 SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则 3术语和定义 GB/T15651一1995界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3. 1 反向电压reversevoltage VR 通过器件的反向电流为规定值时，其两极间产生的电压降。
4一般要求 测量反向电压和反向电流的一般要求应符合SJ/T2658.1。
5反向电压的测量 5.1测量原理图 反向电压的测量原理图见图1。
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