ICS31.080 L53 备案号：52036-2015 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T2658.9-2015 代替SJ/T2658.9一1986 半导体红外发射二极管测量方法 第9部分：辐射强度空间分布和半强度角 Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode -Part 9:Spatial distribution of radiant intensity and half-intensity angle 2015-10-10发布 2016-04-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布 SJ/T2658.92015 前言 SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分： 第1部分：总则； 第2部分：正向电压； 第3部分：反向电压和反向电流： 第4部分：总电容： 第5部分：串联电阻 AND 第6部分：辐射功率 第7部分：辐射通量 第8部分：辐射强度 第9部分：辐射强度空间分布和半强度角； —第10部分调制带 —第11部分响应时间； ——第B部分：辐射功率温度系数： —第14部分：结温； —第5部分： 热阻； INFORMATION TECHNOI —第16部分： 光电转换效 本部分为S3658的第9部分 本部分按照BT11一2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草. 本部分代替SJ2658.9一1986《半导体红外发光二极管测试方法辐射强度空间分布和半强度角的 测试方法》，除编辑性修改外主要技术变化如下： —修改了辐射强度空间分布和半强度角的测量原理图（见图 细化了辐射强度空间分布和半强度角的测量步骤（见52 补充了辐射强度室间分布和半强度角测量方法的规定条件（见5.3）. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口 本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院. 本部分主要起草人：张戈、赵英. 本部分所代替标准的历次版本发布情况为： SJ/T2658.9-1986. I SJ/T2658.9—2015 半导体红外发射二极管测量方法 第9部分：辐射强度空间分布和半强度角 1范围 本部分规定了半导体红外发射二极管（以下简称器件）辐射强度空间分布和半强度角的测量原理图、 测量步骤以及规定条件. 本部分适用于半导体红外发射二极管. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件. 凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T2900.65一2004电工术语：照明 GB/T15651一1995半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件 SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则 SJ/T2658.8半导体红外发射二极管测量方法第8部分：辐射强度 CIE127:1997技术报告LED测量 3术语和定义 GB/T2900.65一2004和GB/T15651一1995界定的以及下列术语和定义适用于本文件. 3.1 辐射强度空间分布spatial distribution of radiant intensity 器件在规定的正向工作电流下，垂直和平行p-n结方向的辐射强度随空间角的分布. 4一般要求 测量辐射强度空间分布和半强度角的一般要求应符合SJ/T2658.1的规定. 5测量方法 5.1测量原理图 辐射强度空间分...
SJ/T 2658.9-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第9部分：辐射强度空间分布和半强度角.pdf
