ICS31.080 L53 备案号： SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T2749—2016 代替SJ/T2749-1987 半导体激光二极管测试方法 Measuring methods for semiconductor laser diodes 2016-01-15发布 2016-06-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T2749—2016 目 次 前言 III 1范围. 2规范性引用文件. 1 3术语和定义.. 4一般要求. 3 4.1试验条件.. 3 4.2允许偏差 4 4.3测量设备.. 4 5详细要求.. DUSTRY AN FORMATON 4 5.1正向电压 4 5.2反向电月 5 5.3正向电流 5 5.4反向电 TECH 7 5.5微分电阻 7 5.6阈值电流 5.7输出光功 率 5.8斜率效率 SJ 王向电 NOL 8 9 of ..10 5.9动态消光比 ...11 5.10外微分 ....12 5.11峰值发射波长和光辐射带宽 ....13 5.12近场图. ...16 5.13发射源尺寸 ...16 5.14半强度角 ....18 5.15开通延迟时间、上升时间 RDS 、的 ...19 5.16相对强度噪声 20 5.17截止频率 . 22 5.18调制速率.. ..23 5.19边模抑制比.... 24 5.20射频回波损耗.. 24 5.21输入1dB压缩点和动态范围... 25 5.22工作频率范围和带内平坦度.... 27 5.23电压驻波比 28 5.24噪声系数. 5.25输入三阶交调截止点和无杂散动态范围 28 ... 29 I SJ/T2749—2016 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准代替SJ/T2749一1987《半导体激光二极管测试方法》. 本标准与SJ/T2749—1987相比主要变化如下： a)将辐射光谱宽度改为光谱辐射带宽（见3.1），将辐射图改为近场图（见3.2），增加了动态范围 (见3.3)、输入1B压缩点（见3.4）、工作频率范围（见3.5）、带内平坦度（见3.6）、电压 驻波比（见3.7）、输入三阶交调截止点（见3.8）、调制速率（见3.9）、射频回波损耗（见3.10）、 动态消光比（见3.11）、无杂散动态范围（见3.13）的术语和定义； b)增加了一般要求（见4）： c)将反向击穿电压改为反向电压（见5.2）； d)增加了调制速率（见5.18）、边模抑制比（见5.19）、射频回波损耗（见5.20）、输入1dB压缩 点（见5.21）、动态范围（见5.21）、工作频率范围（见5.22）、带内平坦度测试（见5.22）、 电压驻波比（见5.23）、噪声系数（见5.24）、输入三阶交调截止点（见5.25）和无杂散动态范 围（见5.25）常用参数的测试方法. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口. 本标准起草单位：中国科学院半导体研究所. 本标准主要起草人：王欣、谢亮、满江伟、王佳胜. 本次修订为首次修订. ...
SJ/T 2749-2016 半导体激光二极管测试方法.pdf
