ICS31.020 L90 GB 中华人民共和国国家标雅 GB/T11297.9—2015 代替GB/T11297.91989 热释电材料介质损耗角正切tanδ的 测试方法 Test method for dielectric tangent of loss angle of pyroelectric materials 2015-12-31发布 2016-07-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T11297.9-2015 前言 本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本部分代替GB/T11297.9一1989《热释电材料介质损耗角正切tan8的测试方法》.本部分与 GB11297.9一1989相比,主要技术变化如下: ——修改了适用的频率范围(见第1章); —修改了试样尺寸要求(见第6章,1989年版3.2); —增加了测量引线的要求(见第7章); —修改了频率最大允许误差(见第7章,1989年版4.2); —修改了tan8值的测量最大允许误差(见第7章,1989年版4.1); —修改了试样处理(见8.1 1989年版5.1); 一增加了“先将样品盒放入恒温器内,再将样品夹具接入样品盒内”和通过仪器的开路和短路校 准,直接测得试样的介质损耗角正切tano[见8.2b)~f)]. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出. 本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口. 本部分起草单位:中国科学院上海硅酸盐研究所. 本部分主要起草人:姚春华、曹菲、董显林、王根水、王永龄. 本部分所代替标准的历次版本发布情况为: —GB/T11297.9—1989. I GB/T11297.9-2015 热释电材料介质损耗角正切tanδ的 测试方法 1范围 本部分规定了热释电陶瓷、晶体和有机材料在100Hz~100kHz范围的介质损耗角正切tan的测 量方法. 本部分适用于测量钛酸铅、锆钛酸铅、钛酸银钡、钽钪酸铅等热释电陶瓷材料和铌镁酸铅、钽酸锂、 三甘氨酸硫酸盐族等热释电晶体材料的介质损耗角正切tan 也适用于测量其他类似陶瓷、晶体及有 机热释电材料的介质损耗角正切tano. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括的修改单)适用于本文件. SJ/T11067红外探测材料中半导体光电材料和热释电材料常用名词术语 3术语和定义 SJ/T11067界定的以及下列术语和定义适用于本文件. 3.1 介质损耗dielectric loss 任何电介质(包括热释电材料)在交变电场作用下由于发热而产生的电能损耗. 4测量原理 衡量这种损耗大小的因子是tano 称为介质损耗角()的正切值,是一个无量纲物理量.介质损耗 角(8)表示为有功功率(P)与无功功率(Q)的比值,见式(1). P tand= (1) Q 介质损耗角正切(tano)的测量和计算方法有两种等效电路,图1分别表示这两种等效电路及其矢 量图解. 由图1可见,并联损耗角正切可表示为式(2): tand= IR_1 (2) 串联损耗角正切可表示为式(3): UR tand-Uc =wC、R、 (3) 式中: w—外加交流电压的角频率,单位为每秒(s-). ...
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