ICS31.200 L56 GB 中华人民共和国国家标雅 GB/T14112—2015 代替GB/T14112一1993 半导体集成电路 塑料双列封装冲制型引线框架规范 Semiconductor integrated circuits- Specification for stamped leadframes of plastic DIP 2015-05-15发布 2016-01-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T14112-2015 目 次 前言 Ⅲ 1范围 1 2规范性引用文件 1 3术语和定义 4技术要求 4.1引线框架尺寸 1 4.2引线框架形状和位置公差 2 4.3引线框架外观 3 4.4引线框架镀层 4.5引线框架外引线强度 4 4.6铜剥离试验 .....4 4.7银剥离试验 4 5检验规则 4 5.1检验批的构成 4 5.2鉴定批准程序 4 5.3质量一致性检验 4 6订货资料 7 7标志、包装、运输、贮存 7 7.1标志、包装 ..7 7.2运输、贮存 7 附录A(规范性附录)引线框架机械测量 8 附录B(规范性附录)引线框架高温和机械试验 .16 附录C(资料性附录)批允许不合格率(LTPD)抽样方案18 I GB/T 14112-2015 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准代替GB/T14112一1993《半导体集成电路塑封双列封装冲制型引线框架规范》. 本标准与GB/T14112一1993相比主要变化如下： —关于规范性引用文件：增加引导语；抽样标准由GB/T2828.1一2012代替IEC410;增加引用 文件GB/T2423.60—2008、SJ20129; —增加术语和定义，并增加了标称长度、精压区共面性、芯片粘接区下陷的定义； —标准“4.2引线框架形状和位置公差”中，增加了芯片粘接区平面度、引线框架内部位置公差的 有关要求； 一修改了标准中对“侧弯”的要求（见4.2.1）：原标准仅规定了侧弯小于0.05mm/150mm 本标 准在整个标称长度上进行规定； 一修改了标准中对“卷曲”的要求（见4.2.2）：原标准中仅规定了卷曲变形小于0.5mm/150mm 本标准根据材料的厚度进行规定； 一修改了标准中对“条带扭曲”的要求（见4.2.4）：原标准中仅规定了框架扭曲小于0.5mm 本标 准将框架扭曲修改为条带扭曲，并根据材料的厚度进行规定； 修改了标准中对“引线扭曲”的要求（见4.2.5）：原标准中规定了引线扭曲的角度及其内引线端 点的最大扭曲值，本标准删除了内引线端点最大扭曲值的规定； 一修改了标准中对“精压深度”的要求（见4.2.6）：在原标准的基础上，增加了最大精压深度与最 小引线间距的相关要求； 修改了标准中对“绝缘间隙”的要求（见4.2.7）：原标准中规定的绝缘间隙为0.15mm 本标准 修改为0.1mm; 一修改了标准中对“精压区共面性”的要求（见4.2.8）：原标准中规定了引线框架条宽大于 50.8mm 精压区共面性为士0.25mm 本标准修改为士0.2mm; 一修改了标准中对“芯片粘接区斜度”的要求（见...
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