ICS31.080.20 K46 GB 中华人民共和国国家标雅 GB/T15291-2015/IEC60747-6:2000 代替GB/T15291一1994 半导体器件 第6部分：晶闸管 Semiconductor devices-Part 6:Thyristors (IEC60747-6:2000 IDT) 2015-12-31发布 2017-01-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T15291-2015/IEC60747-6:2000 目 次 前言 X 引言 XI 1范围 1 2规范性引用文件 1 3术语和定义 1 3.1晶闸管的类型 2 3.2三极晶闸管静态电压-电流特性的基本术语5 3.3二极晶闸管静态电压-电流特性的基本术语 6 3.4三极晶闸管和二极晶闸管静态电压-电流特性（见图1、图2）7 3.5额定值和特性的术语：主电压 7 3.6额定值和特性的术语：主电流 10 3.7额定值和特性的术语：门极电压，门极电流 14 3.8额定值和特性的术语：功率，能量 17 3.9额定值和特性的术语：恢复时间和其他特性 21 4文字符号 28 4.1通则 .28 4.2附加的通用下标 28 4.3文字符号表 28 4.3.1主电压，阳极-阴极电压（参见图15） 29 4.3.2主电流，阳极电流，阴极电流（参见图16） 30 4.3.3门极电压 31 4.3.4门极电流 31 4.3.5时间量 31 4.3.6其他量 32 4.3.7损耗功率 32 5反向阻断三极晶闸管和反向导通三极晶闸管的基本额定值和特性32 5.1热条件 32 5.1.1推荐温度 33 5.1.2额定条件 33 5.2电压和电流额定值（极限值） 33 5.2.1反向不重复峰值电压(VRsm)33 5.2.2反向重复峰值电压(VRRM) 33 5.2.3反向工作峰值电压(VRwm)(适用时)33 5.2.4反向直流电压(V)(适用时) 33 5.2.5断态不重复峰值电压(VsM) 33 5.2.6断态重复峰值电压(VpRM)33 5.2.7断态工作峰值电压(Vpwv)(适用时)33 I GB/T15291-2015/IEC60747-6:2000 5.2.8断态直流电压(VD)(适用时) 34 5.2.9门极正向峰值电压（阳极相对于阴极为正）(VFGM)34 5.2.10门极正向峰值电压（阳极相对于阴极为负）(VFGM) 34 5.2.11门极反向峰值电压(VRGM)(适用时) 34 5.2.12通态平均电流(ITAV) 34 5.2.13通态重复峰值电流(ITRM)(适用时) 34 5.2.14通态方均根电流(IT(RMs)(适用时) 34 5.2.15通态过载电流(Iov)(适用时) 34 5.2.16通态浪涌电流(ITsM) .35 5.2.17通态直流电流(ITD)(适用时) .35 5.2.18较高频率正弦波通态峰值电流(ITRM)(...
GB/T 15291-2015 半导体器件 第6部分：晶闸管.pdf
