GB/T 15878-2015 半导体集成电路 小外形封装引线框架规范.pdf

ICS31.200 L56 GB 中华人民共和国国家标雅 GB/T15878—2015 代替GB/T15878一1995 半导体集成电路 小外形封装引线框架规范 Semiconductor integrated circuits- Specification of leadframes for small outline package 2015-05-15发布 2016-01-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T 15878-2015 目 次 前言 I 1范围 1 2规范性引用文件 ..] 3术语和定义 1 4技术要求 1 4.1引线框架尺寸 1 4.2引线框架形状和位置公差 1 4.3引线框架外观 2 4.4引线框架镀层3 4.5引线框架外引线强度 3 4.6铜剥离试验 3 4.7银剥离试验3 5检验规则 3 5.1检验批的构成 3 5.2鉴定批准程序 ...4 5.3质量一致性检验 4 6订货资料 .6 7标志、包装、运输、贮存 6 7.1标志、包装 .6 7.2运输、贮存 .7 附录A(规范性附录)引线框架机械测量8 GB/T15878-2015 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准代替GB/T15878一1995《小外形封装引线框架规范》. 本标准与GB/T15878一1995相比主要变化如下： 一按照标准的使用范围，将原标准的标准名称修改为“半导体集成电路小外形封装引线框架 规范”； 一关于规范性引用文件：增加引导语；抽样标准由GB/T2828.1一2012代替SJ/Z9007一87；增 加引用文件GB/T2423.60一2008、SJ20129; 标准中的4.1由“设计”改为“引线框架尺寸”，将原标准中精压深度和金属间隙的有关内容调 整到4.2，并将原标准中“精压区”的有关内容并入到“精压深度”条款中； 一对标准的“4.2引线框架形状和位置公差”中相应条款顺序进行了调整，并增加了芯片粘接区 下陷和引线框架内部位置公差的有关要求； —修改了标准中对“侧弯”的要求（见4.2.1）：原标准中仅规定了在150mm的长度方向上，不超 过0.5mm 本标准在整个标称长度上进行规定； —修改了标准中对“卷曲”的要求（见4.2.2）：原标准中仅规定了卷曲变形小于0.5mm 本标准根 据材料的厚度分别进行了规定； 一修改了标准中对“条带扭曲”的要求（见4.2.4）：原标准中仅规定了每条框架上扭曲不超过 0.51mm 本标准将框架扭曲修改为条带扭曲，并根据材料的厚度分别进行了规定； 一修改了标准中对“引线扭曲”的要求（见4.2.5）：原标准中规定了引线扭曲的角度及引线宽度上 的最大偏移量，本标准删除了引线宽度上最大偏移量的规定； —原标准未考虑精压深度对精压宽度的影响，简单地规定了精压深度的尺寸范围.本标准修改 为：在保证精压宽度不小于引线宽度90%的条件下，精压深度不大于材料厚度的30%，其参考 值为0.015mm~0.06mm(见4.2.6)； 一将“金属间隙”修改为“绝缘间隙”，并修改了标准中对“绝缘间隙”的要求（见4.2.7）：原标准规 定“引线框架各...