ICS77.040 H17 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T24578—2015 代替GB/T245782009 硅片表面金属沾污的全反射 X光荧光光谱测试方法 Test method for measuring surface metal contamination on silicon wafers by total reflection X-Ray fluorescence spectroscopy 2015-12-10发布 2017-01-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T24578-2015 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准代替GB/T24578一2009《硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法》. 本标准与GB/T24578一2009相比，主要变化如下： 扩大了标准适用范围，除适用于硅抛光片、外延片外，同样适用于测定砷化镓、碳化硅、SOI等 材料镜面抛光晶片表面的金属沾污（见第1章）； —干扰因素中增加了晶片表面对测试结果的影响（见第6章）. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本标准起草单位：有研新材料股份有限公司、万向硅峰电子股份有限公司、浙江省硅材料质量检验 中心. 本标准主要起草人：孙燕、李俊峰、楼春兰、潘紫龙、朱兴萍. 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： —GB/T24578—2009. I GB/T24578-2015 硅片表面金属沾污的全反射 X光荧光光谱测试方法 1范围 1.1本标准规定了使用全反射X光荧光光谱，定量测定硅抛光衬底表面层的元素面密度的方法.本标 准适用于硅单晶抛光片、外延片（以下称硅片），尤其适用于硅片清洗后自然氧化层，或经化学方法生长 的氧化层中沾污元素面密度的测定，测定范围为10 atoms/cm2~1015 atoms cm2.本标准同样适用于 其他半导体材料，如砷化镓、碳化硅、SOI等镜面抛光晶片表面金属沾污的测定. 1.2对良好的镜面抛光表面，可探测深度约5m 分析深度随表面粗糙度的改善而增大. 1.3本方法可检测元素周期表中原子序数16(S)~92(U)的元素，尤其适用于测定以下元素：钾、钙、 钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、砷、钼、钯、银、锡、钽、钨、铂、金、汞和铅. 1.4本方法的检测限取决于原子序数、激励能、激励X射线的光通量、设备的本底积分时间以及空白 值.对恒定的设备参数，无干扰检测限是元素原子序数的函数，其变化超过两个数量级.重复性和检测 限的关系见附录A. 1.5本方法是非破坏性的，是对其他测试方法的补充，与不同表面金属测试方法的比较及校准样品的 标定参见附录B. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T14264半导体材料术语 GB50073一2013洁净厂房设计规范 3术语和定义 GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件. 3.1 掠射角glancing angle 全反射X光荧光光谱测试方法中X射线的入射角度. 3.2 角扫描angle scan 作为掠射角函数，对发射的荧光信号的测量. 3.3 临界角critical angle 能产生全反射的最大角度.当掠射角低于这一角度时，被测表...
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