ICS29.045 H82 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T25074—2017 代替GB/T25074—2010 太阳能级多晶硅 Solar-grade polycrystalline silicon 2017-11-01发布 2018-05-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 发布 GB/T25074-2017 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准代替GB/T25074一2010《太阳能级多晶硅》.本标准与GB/T25074一2010相比，主要变动 如下： 一增加了规范性引用文件GB/T13389、GB/T14264、GB/T14844、GB/T24582、GB/T29057、 GB/T29849、GB/T31854 删除了SEMI MF1535(见第2章，2010年版的第2章)； 一-一技术指标划分等级中增加了特级品的指标要求（见5.1）； —一将技术指标中各等级施/受主杂质浓度、少数载流子寿命、基体金属杂质含量的要求进行了修 订，并增加了表面金属杂质含量要求（见5.1 2010年版的4.1）； --细化了块状多晶硅尺寸范围（见5.2.1 2010年版的4.2）； 一增加了致密料、菜花料、珊瑚料的表面质量要求（见5.3.1）； 一一包装要求不再局限于固定重量，不同需求依据供需双方协商（见8.2 2010年版的7.1）； 一一增加附录A“太阳能级多品硅参考技术指标”，将导电类型和电阻率作为参考项（见附录A). 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本标准起草单位：洛阳中硅高科技有限公司、多晶硅材料制备国家工程实验室、有色金属技术经济 研究院、江苏中能硅业科技发展有限公司、新特能源股份有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、内蒙古神 舟硅业有限责任公司、亚洲硅业（青海）有限公司. 本标准主要起草人：严大洲、万烨、毋克力、张园园、付雷、楚东旭、赵雄、杨素心、刘晓霞、贺东江、 邱艳梅、刘淑萍、李卫南、宗冰、穆彩霞. 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： GB/T25074—2010. I GB/T 25074—2017 太阳能级多晶硅 1范围 本标准规定了太阳能级多品硅的术语和定义、牌号及分类、要求、试验方法、检验规则以及标志、包 装、运输、贮存和质量证明书. 本标准适用于以氯硅烷、硅烷为原料生长的棒状多晶硅或经破碎形成的块状多晶硅. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1551硅单晶电阻率测定方法 GB/T1553硅和错体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T4059硅多晶气氛区熔基磷检验方法 GB/T4060硅多品真空区熔基硼检验方法 GB/T13389掺硼掺磷掺硅单品电阻率与掺杂剂浓度换算规程 GB/T14264半导体材料术语 GB/T14844半导体材料牌号表示方法 GB/T24574硅单晶中Ⅲ-V族杂质的光致发光测试方法 GB/T24581低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、V族杂质含量的测试方法 GB/T24582酸浸取-电感耦合...
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