ICS29.045 H83 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T30866-2014 碳化硅单晶片直径测试方法 Test method for measuring diameter of monocrystalline silicon carbide wafers 2014-07-24发布 2015-02-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T30866-2014 碳化硅单晶片直径测试方法 1范围 本标准规定了用千分尺测量碳化硅单晶片直径的方法. 本标准适用于碳化硅单晶片直径的测量. 2方法提要 避开碳化硅单晶片主副参考面，选取三个测量位置（如图1所示），沿直径方向用外径千分尺测量碳 化硅单晶片的三条直径，计算直径平均值和直径偏差. 30° 图1直径测量位置示意图 3仪器设备 分度值为0.02mm的外径千分尺或精度相当的其他仪器. 4试样准备 碳化硅单晶片应清洁、干燥，边缘应光滑、平整. 5测试环境 5.1温度：18℃~28℃. 5.2相对湿度应不大于75%. 6测试程序 6.1校正外径千分尺零点. GB/T30866-2014 6.2选取三个测量位置，第一条直径位于主、副参考面的中间，第二条直径垂直于第一条直径，第三条 直径与第二条直径逆时针成30°角（如图1所示）. 6.3旋出外径千分尺测量杆，放入待测试样，使待测直径处于测量位置. 6.4旋进测量杆到终止位置. 注：旋转外径千分尺的滚花外轮，听到咯咯的响声即表示千分尺与碳化硅片已接触好. 6.5记录外径千分尺的读数，取下待测试样. 6.6重复测量步骤6.3~6.5，直至测完三条直径. 7结果计算 7.1直径平均值 碳化硅单晶片直径的平均值(D)按式(1)计算： D-D. 3台 (1) 式中： D—第i条直径测量值，单位为毫米(mm); i—测量点1、2、3. 7.2直径偏差 对每一片碳化硅单晶片，其最大直径减去最小直径即为该碳化硅单晶片的直径偏差. 8精密度 在重复性条件下，本方法测量值的标准偏差小于0.05mm. 9报告 报告至少应包括以下内容： a)送样单位； b)样品名称、规格、编号； c)直径测量值、平均值和偏差； d)操作者、审核人签字； c)测量日期； )本标准编号. 2 ...
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