ICS29.045 H83 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度 变化测试方法 Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers 2014-07-24发布 2015-02-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 发布 GB/T30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度 变化测试方法 1范围 本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化(TTV)的测试方法，包括接触式和非接触式两种 方式. 本标准适用于直径不小于30mm、厚度为0.13mm~1mm的碳化硅单晶片. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T14264半导体材料术语 GB/T25915.1一2010洁净室及相关受控环境第1部分：空气洁净度等级 3术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件. 4方法提要 4.1接触式测量 接触式测量采用五点法.在碳化硅单晶片中心点和距碳化硅单晶片边缘D/10的圆周上4个对称 点位置测量碳化硅单晶片厚度，如图1所示.单晶片中心点厚度为标称厚度，5个厚度测量值中的最大 值和最小值的差值为碳化硅单晶片的总厚度变化. D/10 3 1 2 说明：图中D为碳化硅单品片直径. 图1接触式测量的测量点位置 1 GB/T30867-2014 4.2非接触式测量 非接触式测量采用光干涉法.用真空吸盘吸持碳化硅单晶片试样的背面，使试样表面尽可能靠近 干涉仪的基准面，来自单色光源的平面波受到试样表面的反射，在空间迭加形成光千涉.由于所处光程 差不同，在屏幕上出现干涉条纹（见图2）.系统以真空吸盘为基准平面，分析得到的干涉条纹，可度量 试样总厚度变化. 显示屏 试样 吸盘 观察透镜 棱镜 准直透镜 基准面 马达 毛玻璃盘 聚焦透镜 一单色光源 图2掠射入射干涉仪示意图 5仪器设备 5.1接触式测厚仪 5.1.1测厚仪由带指示仪表的探头及支承单晶片的夹具或平台组成. 5.1.2测厚仪应能使碳化硅单晶片绕平台中心旋转，并使每次测量定位在规定位置的2mm范围内. 5.1.3仪表最小指示量值不大于1μm. 5.1.4测量时探头与碳化硅单晶片接触面积不应超过2mm2. 5.2非接触式测厚仪 5.2.1掠射入射干涉仪：由单色光源、聚焦透镜、毛玻璃散射盘、准直透镜、棱镜、目镜和观察屏组成. 仪器灵敏度优于0.1μm 并可调节其灵敏度大小. 2 ...
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