ICS77.040 H17 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T35306-2017 硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法 Test method for carbon and oxygen content of single crystal silicon- Low temperature fourier transform infrared spectrometry 2017-12-29发布 2018-07-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T35306-2017 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本标准起草单位：昆明冶研新材料股份有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、宜昌南玻硅材 料有限公司、新特能源股份有限公司、亚洲硅业（青海）有限公司、青海黄河上游水电开发有限责任公司 新能源分公司、陕西天宏硅材料有限责任公司. 本标准主要起草人：张云晖、韩小月、毛智慧、赵建为、刘晓霞、王桃霞、田洪先、刘明军、银波、刘国霞、 蔡延国、秦榕、童孟、钱津旺、杨红燕. I GB/T35306-2017 硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法 1范围 本标准规定了低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的方法. 本标准适用于室温电阻率大于0.1cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.52cm的P型硅 单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的测定. 本标准测定碳、氧含量的有效范围从5×10l4 atomscm-3(0.01ppma)到硅中代位碳和间隙氧的 最大固溶度. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T8170数值修约规则与极限数值的表示和判定 GB/T14264半导体材料术语 GB/T29057用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程 ASTM E131分子光谱有关术语(Standard terminology relating to molecular spectroscopy) 3术语和定义 GB/T14264和ASTM E131界定的以及下列术语和定义适用于本文件. 3.1 背景光谱background spectrum 在红外光谱仪中，无样品存在的情况下使用单光束测量获得的谱线，通常包括氮气、空气等信息. 3.2 参比光谱reference spectrum 参比样品的光谱.对于双光束仪器，参比光谱是直接将参比样品放置于样品光路，让参比光路空着 获得的，对于傅立叶变换红外光谱仪及其他单光束仪器，参比光谱是将参比样品的光谱扣除背景光谱后 得到的结果. 3.3 样品光谱sample spectrum 测试样品的光谱.对于双光束仪器，样品光谱是直接将样品放置于样品光路，让参比光路空着获得 的，对于傅立叶变换红外光谱仪及其他单光束仪器，样品光谱是将样品的光谱扣除背景光谱后得到的 结果. 3.4 基线baseline 从测量图谱中碳、氧吸收峰的两侧最小吸光度处作出的一条切线.用来计算吸收系数a和吸收峰 面积. 1 ...
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