ICS29.045 H83 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T35308-2017 太阳能电池用锗基Ⅲ-V族化合物外延片 Epitaxial wafers of germanium basedⅢ-V pounds for solar cell 2017-12-29发布 2018-07-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T35308-2017 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC02)共同提出并归口. 本标准起草单位：天津三安光电有限公司、厦门市三安光电科技有限公司、有色金属技术经济研 究院. 本标准主要起草人：毕京锋、宋明辉、李森林、陈文浚、吴超瑜、王笃祥、杨素心. I GB/T35308-2017 太阳能电池用锗基Ⅲ-V族化合物外延片 1范围 本标准规定了太阳能电池用锗基Ⅲ-V族化合物外延片（以下简称“外延片”）的术语和定义、分类及 牌号、要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存和质量证明书. 本标准适用于太阳能电池用锗基Ⅲ-V族化合物外延片. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T8758砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法 GB/T14146硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法 GB/T14264半导体材料术语 GB/T24580重掺n型硅衬底中硼沾污的二次离子质谱检测方法 GB/T31227原子力显微镜测量溅射薄膜表面粗糙度的方法 3术语和定义 GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件. 3.1 白点white dots 外延片上直径大于1mm、且小于2mm的亮点. 3.2 晶片污染wafer contamination 由于衬底加工过程或外延过程异常导致外延片表面形成直径大于2mm的非定向散光现象. 3.3 晶格失配度lattice mismatch 数值上等于外延层晶格常数a.与衬底晶格常数a.之差除以衬底的晶格常数ao 是描述衬底与外 延层晶格匹配的常量. 4分类及牌号 4.1分类 4.1.1外延片按照外延结构分为晶格匹配电池外延片和晶格失配电池外延片. 4.1.2外延片按衬底直径主要分为50mm、100mm、150mm、200mm四种. 1 ...
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