ICS31-030 L90 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T5594.8—2015 代替GB/T5594.8一1985 电子元器件结构陶瓷材料 性能测试方法 第8部分：显微结构测定方法 Test methods for properties of structure ceramic used in electronic ponents and device- Part 8:Test method for microstructure 2015-05-15发布 2016-01-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T5594.8-2015 前言 GB/T5594《电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法》分为以下部分： —气密性测试方法(GB/T5594.1); 杨氏弹性模量泊松比测试方法(GB/T5594.2); 第3部分：平均线膨胀系数测试方法(GB/T5594.3); 一第4部分：介电常数和介质损耗角正切值的测试方法(GB/T5594.4); 体积电阻率测试方法(GB/T5594.5); 第6部分：化学稳定性测试方法(GB/T5594.6); —第7部分：透液性测定方法(GB/T5594.7); —第8部分：显微结构测定方法(GB/T5594.8); —电击穿强度测试方法(GB/T5594.9). 本部分为GB/T5594的第8部分. 本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本部分代替GB/T5594.8一1985《电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法显微结构的测定》. 本部分与GB/T5594.8一1985相比，主要有下列变化： —标准名称改为：“电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法第8部分：显微结构测定方法； 一“3.1显微结构”定义中，增加了晶界、相间物质、空间上的相互排列和组合关系等； —“4样品的制备”中，增加了“小尺寸样品，可以直接采用单面磨制”； —“7测试结果的综合表示”中，增加了部分显微结构照片，将晶粒大小放在前面.显微缺陷、 气孔数量、玻璃相等部分放在后面； ——删除了气孔、玻璃相含量等级表示方法（见GB/T5594.8一1985中4.2.2、4.3）. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本部分由中华人民共和国信息工业和信息化部提出. 本部分由中国电子技术标准化研究院归口. 本部分起草单位：中国电子科技集团公司第十二研究所、中国电子技术标准化研究院、江苏常熟银 洋陶瓷器件有限公司. 本部分主要起草人：江树儒、曹易、高永泉、翟文斌. 本部分所代替标准的历次版本发布情况为： —GB/T5594.8-1985. GB/T5594.8-2015 电子元器件结构陶瓷材料 性能测试方法 第8部分：显微结构测定方法 1范围 GB/T5594的本部分规定了氧化铝瓷、氧化铍瓷、滑石瓷和镁橄榄石瓷等电子元器件结构陶瓷显 微结构的测定方法. 本部分适用于氧化铝瓷、氧化铍瓷、滑石瓷和镁橄榄石瓷等电子元器件结构陶瓷显微结构的测定. 本部分只涉及光学显微镜的测定内容和测定方法. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T9530一1988电子陶瓷名词 3术语和定义 GB/T9530一1988界定的以及下列术语和定义适用于本文件. 3.1 显微结构microstructure 晶相（主晶相、次晶相）、玻...
GB/T 5594.8-2015 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 第8部分：显微结构测定方法.pdf
