ICS29.045 H82 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T12962—2015 代替GB/T129622005 硅 单 晶 Monocrystalline silicon 2015-12-10发布 2017-01-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T12962—2015 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准代替GB/T12962一2005《硅单晶》.本标准与GB/T12962一2005相比，主要变化如下： —增加了直径小于或等于50.8mm直拉硅单晶及要求（见5.1.1）； —增加了直径200mm区熔硅单品及要求（见5.1.1）； 一增加了对直拉硅单晶的载流子寿命要求（见5.2.1）； 一修订了口型区熔高阻硅单晶电阻率范围的要求（见5.2.1）； 一增加了掺杂比为F的中子嬗变掺杂硅单晶的要求（见5.2.1）； ——修订了掺杂比为F.的中子嬗变掺杂硅单晶的径向电阻率变化及少数载流子寿命要求 (见5.2.1)； —一修订了气相掺杂区熔硅单晶的直径、电阻率及少数载流子寿命等要求（见5.2.1）； ——“金属含量”要求中删除了“重掺杂直拉硅单晶的基硼、基磷含量由供需双方商定提供”内容（见 5.8); —取样由文字描述改为表6； —增加了订货单内容（见第9章）. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本标准起草单位：有研新材料股份有限公司、天津市环欧半导体材料技术有限公司、浙江中晶科技 股份有限公司、浙江省硅材料质量检验中心、杭州海纳半导体有限公司、万向硅峰电子股份有限公司、浙 江金瑞泓科技股份有限公司、上海合晶硅材料有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所、广东 泰卓光电科技股份有限公司. 本标准主要起草人：孙燕、张果虎、张雪囡、黄笑容、楼春兰、王飞尧、朱兴萍、何良恩、徐新华、 杨素心、由佰玲、李丽妍. 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： —GB/T12962—1991、GB/T12962—1996、GB/T12962—2005. I GB/T12962—2015 硅 单 晶 1范围 本标准规定了硅单晶的牌号及分类、要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书 和订货单（或合同）内容等. 本标准适用于直拉法、悬浮区熔法（包括中子嬗变掺杂和气相掺杂）制备的直径不大于200mm的 硅单晶.产品主要用于制作半导体元器件. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1551硅单品电阻率测定方法 GB/T1553硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T4058硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻率测试方法非接触涡流法 GB/T11073一2007硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T12964硅单晶抛光片 GB/T13387硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T13388硅片参考面结晶...
GB/T 12962-2015 硅单晶.pdf
