ICS29.045 H80 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T13389—2014 代替GB/T13389—1992 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与 掺杂剂浓度换算规程 Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped phosphorus-doped and arsenic-doped silicon 2014-12-31发布 2015-09-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T13389-2014 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准代替GB/T13389一1992《掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程》，参照SEMI MF723-0307《掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程》对GB/T13389一1992进行修订. 本标准与GB/T13389一1992相比，主要有以下变化： —一增加了公式(5)、(6)、(7)，即碑的掺杂剂浓度换算电阻率、掺硼硅单晶电阻率换算空穴浓度和 掺磷硅单晶电阻率换算电子浓度的公式以及相应的适用范围； ——由于公式都是经验公式或是试验结果，因此本标准中给出了公式的试验依据以便于使用 者更好地了解和使用这些换算规程； —增加干扰因素（见第6章）； ——增加了附录和参考文献. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本标准起草单位：有研半导体材料股份有限公司、四川新光硅业科技有限责任公司、中国计量科学 研究院、浙江省硅材料质量检验中心、杭州海纳半导体有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、西安隆 基硅材料股份有限公司. 本标准主要起草人：孙燕、梁洪、高英、楼春兰、张静、王飞尧、曹孜、何良恩、张海英、张群社. 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： —GB/T13389—1992. I GB/T13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与 掺杂剂浓度换算规程 1范围 本标准规定了掺硼、掺磷、掺神硅单晶电阻率与掺杂剂浓度之间的换算关系，该换算关系也适用于 掺锑硅单晶，还可扩展至硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂. 本标准适用于掺硼浓度10l4cm-3~1X100cm-3 掺磷浓度3×1013cm-3~1X1020cm-3 掺砷浓 度1019cm-3~6X1020cm-3.对掺硼、掺磷的硅单晶掺杂剂浓度可扩展到1012cm-a. 本标准也可用于在23℃下从硅单晶电阻率到载流子浓度的换算，但不包括对砷掺杂剂的载流子浓 度换算，或任何其他载流子浓度的换算. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注明日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1551硅单晶电阻率测定方法 GB/T4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T14264半导体材料术语 3术语和定义 GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件. 3.1 自相容性误差the self-consistency errors 电阻率与掺杂剂浓度之间的换算公式或表格，是以其中一个为变量，拟合实...
GB/T 13389-2014 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程.pdf
