ICS29.045 H82 中华人民共和国国家标准 GB/T29054—2012 太阳能级铸造多晶硅块 Solar-grade casting multi-crystalline silicon brick 2012-12-31发布 2013-10-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 数码防伪 中国国家标准化管理委员会 GB/T29054—2012 太阳能级铸造多晶硅块 1范围 本标准规定了太阳能级铸造多晶硅块的产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、 运输、贮存等. 本标准适用于利用铸造技术制备多晶硅片的多晶硅块. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1551硅单晶电阻率测定方法 GB/T1553硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法 GB/T14264半导体材料术语 SEMI PV1-0709利用高质量分辨率辉光放电质谱测量光伏级硅中微量元素的方法 3术语和定义 GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件. 3.1 硅块silicon brick 一种块状半导体，通常为尺寸均匀的长方体，由多晶硅锭或单晶硅棒切割而成. 4分类 产品按外形尺寸（长×宽）分为125mm×125mm和156mm×156mm 且有效高度应≥100mm 或由供需双方协商. 5要求 5.1外观质量 5.1.1在有效高度内无目视可见裂纹、崩边、缺口. 5.1.2红外探伤检测结果不可出现尺寸大于5mm的阴影；每块多晶硅块需测量四个侧面. 5.1.3侧面粗糙度Ra≤0.2μm. 5.1.4相邻两面的垂直度为90°士0.25：，如图1所示. 1 GB/T29054—2012 5.1.5倒角尺寸为1.5mm士0.5mm 倒角角度为45°士10°，如图1所示. 5.1.6外形尺寸（长×宽）偏差士0.5mm. 倒角角度 倒角尺寸 垂直度 图1多晶硅块垂直度、倒角尺寸和倒角角度的定义 5.2性能 性能要求具体见表1，表1中未列出的规格要求由供需双方协商. 表1 项目 要求 电阻率/(ncm) 0.5~3.0 导电类型 P型 少数载流子寿命/μs ≥1 间隙氧浓度/(atoms/cm3) ≤8X1017 代位碳浓度/(atoms/cm3) ≤5X1017 Fe、Cr、Ni、Cu、Zn 基体金属杂质浓度/10-(ppmw) TMI(Total metal impurities)金属杂质总含量：≤2 硼浓度/ppmw ≤0.4 6试验方法 6.1外观：用目测检查. 6.2电阻率：按GB/T1551或GB/T6616进行；应尽量避免在品界处测量，选择大品粒范围内测量， 并选取电阻率测量平均值，其具体测量方法由供需双方协商. 6.3导电类型：按GB/T1550进行. 6.4少数载流子寿命：按GB/T1553进行. 2 ...
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