ICS29.045 H82 中华人民共和国国家标准 GB/T29055-2012 太阳电池用多晶硅片 Multi-crystalline silicon wafer for solar cell 2012-12-31发布 2013-10-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 发布 数码防伪 GB/T29055—2012 太阳电池用多晶硅片 1范围 本标准规定了太阳电池用多晶硅片的术语定义、符号及缩略语、产品分类、技术要求、试验方法、检 测规则以及标志、包装、运输、贮存等. 本标准适用于铸锭多晶切片垂直于长晶方向生产的太阳电池用多晶硅片. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1551硅单晶电阻率测定方法 GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法 GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T6619硅片弯曲度测试方法 GB/T14264半导体材料术语 GB/T29054太阳能级铸造多晶硅块 SEMI MF1535用微波反射非接触光电导衰减方法测试硅品片载流子复合寿命的方法 3术语和定义 GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件. 3.1 密集线痕dense saw mark 硅块切割时，在硅片表面留下的密集型划痕. 4外形尺寸分类 太阳电池用多晶硅片的规格系列见表1，在表1中未列出的尺寸规格要求由供需双方协商. 表1太阳电池用多晶硅片规格系列 外形尺寸/mm 125X125 156X156 160 180 硅片厚度/μm 200 220 GB/T29055—2012 5要求 5.1表面质量 5.1.1硅片外观要求表面洁净，无沾污、色斑、目视裂纹、孔洞等目视缺陷. 5.1.2硅片表面允许有深度<0.5mm 长度<1.0mm的崩边缺陷整片≤2处，不允许“V”型缺角的 崩边缺陷. 5.1.3硅片允许有深度<0.3mm的边缘缺陷，并且边缘缺陷的单边累积长度应≤10mm. 5.1.4硅片表面允许存在长度10mm的范围内晶粒的数量≤10个. 5.2尺寸规格 太阳电池用多晶硅片的尺寸偏差应符合表2的要求，如用户有特殊要求时，由供需双方协商. 表2太阳电池用多晶硅片尺寸偏差要求 项目 偏差要求 外形尺寸/mm 士0.5 倒角尺寸/mm 1.5±0.5 硅片厚度T/um 士20 TTV(总厚度变化)/pm ≤40 弯曲度/um ≤75 相邻两边的垂直度/() 90°士0.25° 单条线痕Ry值/um ≤15 密集型线痕数/条 当Ry≤10gm时无总数量限制；当Ry>10am 时硅片线痕数量应≤10条 5.3性能 5.3.1电阻率：范围为(0.5~3.0)0cm 或由供需双方协商. 5.3.2导电类型：P型或由供需双方协商. 5.3.3间隙氧浓度：间隙氧浓度应小于8X10l7 atoms/cm3 或由供需双方协商. 5.3.4代位碳浓度：代位碳含量应小于5X10l7 atoms/cm3 或由供需双方协商. 5.3.5少子寿命：平均少子寿命应大于1μ，或由供需双方协商. 6试验方法 6.1表面质量：在4301x~6501x光强度的荧光灯或乳白灯下目视进行. 6.2外形尺寸：用游标卡尺或相应精度...
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