ICS29.045 H80 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T29057-2012 用区熔拉晶法和光谱分析法评价 多晶硅棒的规程 Practice for evaluation of polocrystalline silicon rods by float-zone crystal growth and spectroscopy (SEMI MF1723-1104 MOD) 2012-12-31发布 2013-10-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T29057-2012 前 言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准修改采用国际标准SEMI MF1723-1104《用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规 程》.为方便比较，资料性附录A中列出了本标准章条和对应的国际标准章条的对照一览表. 本标准在采用SEMI MF1723-1104时进行了修改.这些技术差异用垂直单线标识在它们所涉及 的条款的页边空白处.主要技术差异如下： 一在“规范性引用文件”中，凡我国已有国家标准的，均用相应的国家标准代替SEMI MF1723- 1104中的“引用文件”. —增加规范性引用文件GB/T1553《硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法》. 将6.2中“ISO14644-1中规定的ISO5级”改为“GB50073中规定的5级”. 将7.2.1中“ISO14644-1中规定的ISO6级”改为“GB50073中规定的6级”. —将7.3.1中“ISO14644-1中规定的ISO6级”改为“GB50073中规定的6级”. —将7.3.1中“1X10-6torr”改为“1.3X10-Pa”. —将8.1中“硝酸(HNO3)—符合SEMI C352级”改为“硝酸(HNO3)—符合GB/T626优 级纯”. —将8.2中“氢氟酸(HF)—符合SEMI C282级”改为“氢氟酸(HF)一符合GB/T620优 级纯”. 一一将8.4中“去离子水-一纯度等于或优于ASTM D5127中的E-2级”改为“去离子水—一纯度 等于或优于GB/T11446.1中的EW-2级”. —将8.5中“高纯氩气——符合SEMI C3.42”改为“高纯氩气—符合GB/T4842优等品”. 一增加12.5.2.4“按照GB/T1553检测晶棒体内少数载流子寿命.” —将12.6.1中“根据SEMI MF1391分析碳含量”改为“根据GB/T1558分析碳含量”. —将12.6.3.3中“按测试方法SEMI MF1391”改为“按测试方法GB/T1558”. —将13.3.5.1中“见SEMI MF723”改为“见GB/T13389”. —将14.1中“在SEMI MF1391中”改为“在GB/T1558中”. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口. 本标准起草单位：四川新光硅业科技有限责任公司、乐山乐电天威硅业科技有限责任公司、天威四 川硅业有限责任公司. 本标准主要起草人：梁洪、刘畅、陈自强、张新、蓝志、张华端、瞿芬芬. I GB/T29057-2012 用区熔拉晶法和光谱分析法评价 多晶硅棒的规程 1目的 1.1本标准采用区熔拉晶法和光谱分析法来测量多晶硅棒中的施主、受主杂质浓度.测得的施主、受 主杂质浓度可以用来计算按一定的目标电阻率生长单晶硅棒所需要的掺杂量，也可以用来推算非掺杂 硅棒的电阻率. 1.2多晶硅...
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