GB/T 29332-2012 半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGB/T）.pdf

ICS31.080.01;31.080.30 L42 中华人民共和国国家标准 GB/T29332-2012/IEC60747-9:2007 半导体器件分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) Semiconductor devices-Discrete devices- Part 9:Insulated-gate bipolar transistors (IGBT) (IEC60747-9:2007 IDT) 2012-12-31发布 2013-06-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 发布 中华人民共和国 国家标准 半导体器件分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) GB/T29332-2012/IEC60747-9:2007 中国标准出版社出版发行 北京市朝阳区和平里西街甲2号(100013) 北京市西城区三里河北街16号(100045) 网址.spc.net.cn 总编室：(010)64275323发行中心：(010)51780235 读者服务部：(010)68523946 中国标准出版社秦皇岛印刷厂印刷 各地新华书店经销 开本880×12301/16印张3.5字数98千字 2013年5月第一版2013年5月第一次印刷 书号：1550661-46864 如有印装差错由本社发行中心调换 ：(010)68510107 GB/T29332-2012/IEC60747-9:2007 目 次 前言 V 1范围 1 2规范性引用文件 1 3术语和定义 .1 3.1IGBT的图形符号 1 3.2一般术语 1 3.3额定值和特性的术语电压和电流 2 3.4额定值和特性的术语其他特性 4 4文字符号 6 4.1通则 6 4.2补充的通用下标 6 4.3文字符号 6 5基本额定值和特性 7 5.1额定值（极限值） 7 5.2特性 8 6.1通则 10 6.2额定值（极限值）试验 11 6.3测量方法 19 7接收和可靠性. 34 7.1一般要求 .34 7.2特殊要求 .34 7.3型式试验和例行试验 37 附录A(规范性附录)集电极-发射极击穿电压试验方法39 附录B(规范性附录)在规定条件下，电感性负载关断电流试验方法 .41 附录C(规范性附录)正偏安全工作区FBSOA .43 附录D(规范性附录)管壳不破裂 47 参考文献 48 图1集电极-发射极电压VcEs、VceR、Vcex试验电路11 图2栅极-发射极电压士VcEs试验电路 12 图3集电极电流试验电路 13 图4集电极蜂值电流试验电路 .14 图5反偏安全工作区(RBSOA)试验电路14 I ...