ICS29.045 H82 中华人民共和国国家标准 GB/T29504—2013 300mm硅单晶 300 mm monocrystalline silicon 2013-05-09发布 2014-02-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T29504-2013 300mm硅单晶 1范围 本标准规定了直径300mm、p型、<100>晶向、电阻率0.50cm~200cm硅单品的技术要求、 试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等. 本标准适用于由直拉法制备的硅单晶，主要用于制作满足集成电路IC用线宽0.13μm及以下技 术需求的300mm硅单晶抛光片. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1551一2009硅单晶电阻率测定方法 GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T11073一2007硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T14140硅片直径测量方法 GB/T14264半导体材料术语 YS/T679非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法 3术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件. 4技术要求 4.1直径 滚圆后的硅单晶直径为301mm 允许偏差士0.3mm.其他用户要求及未滚圆硅单晶的直径和允 许偏差由供需双方商定. 4.2电阻率 4.2.1硅单晶的电阻率和径向电阻率变化应符合表1的规定. 表1硅单晶电学参数 项目 电阻率 导电类型 掺杂元素 径向电阻率变化 0cm % 指标 P 0.5~20 ≤10 1 GB/T29504-2013 4.2.2径向电阻率变化如要求按照其他方案进行，由供需双方商定. 4.3晶向 4.3.1硅单晶晶向为<100>晶向. 4.3.2硅单晶晶向偏离度不大于1°. 4.4氧含量 硅单晶的间隙氧含量应不大于1.0×1018原子数/cm3 氧含量的径向变化具体指标可按需方要求 提供. 4.5碳含量 硅单晶的碳含量应不大于2×1018原子数/cm3 或由供需双方商定提供. 4.6晶体完整性 4.6.1硅单晶的位错密度应不大于10个/cm2. 4.6.2硅单晶应无孔洞和裂纹等. 4.6.3硅单晶的其他缺陷要求由供需双方商定. 4.7体金属（铁）含量 硅单晶的体金属（铁）含量应不大于5×101原子数/cm3 或由供需双方商定提供. 4.8头尾标记 滚圆后的硅单晶应有区分头尾的标记. 5试验方法 5.1硅单晶的直径测量按GB/T14140进行. 5.2硅单晶导电类型测量按GB/T1550进行. 5.3硅单晶的电阻率测量按GB/T1551一2009中直排四探针法进行. 5.4硅单晶的径向电阻率变化测量按GB/T11073一2007的B方案进行. 5.5硅单晶的晶向及晶向偏离度测量按GB/T1555进行. 5.6硅单晶的氧含量按GB/T1557进行. 5.7硅单晶的碳含量按GB/T1558进行. 5.8硅单晶的晶体完整性检验按GB/T1554进行. 5.9硅单晶的体金属（铁）含量按YS/T679进行. 5.10硅单晶的头尾标记采用目视检测进行. 6检验规则 6.1检查和验收 6.1...
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