ICS29.045 H82 中华人民共和国国家标雅 GB/T29506—2013 300mm硅单晶抛光片 300 mm polished monocrystalline silicon wafers 2013-05-09发布 2014-02-01实施 70 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 数码防伪 中国国家标准化管理委员会 GB/T29506—2013 300mm硅单晶抛光片 1范围 本标准规定了直径300mm、p型、<100晶向、电阻率0.50cm~200cm规格的硅单晶抛光片 的术语和定义、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等. 本标准适用于直径300mm直拉单晶磨削片经双面抛光制备的硅单晶抛光片，产品主要用于满足 集成电路IC用线宽90nm技术需求的衬底片. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T4058硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法 GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T11073硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T13388硅片参考面结晶学取向X射线测量方法 GB/T14140硅片直径测量方法 GB/T14264半导体材料术语 GB/T19921硅抛光片表面颗粒测试方法 GB/T19922硅片局部平整度非接触式标准测试方法 GB/T24578硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法 GB/T26067硅片切口尺寸测试方法 GB/T29504300mm硅单晶 GB/T29507硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法 GB/T29508300mm硅单品切割片和磨削片 YS/T26硅片边缘轮廓检验方法 YS/T679非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法 SEMI MF1390硅片翘曲度的无接触自动扫描测试方法 3术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件. GB/T29506—2013 4要求 4.1物理性能参数 硅抛光片的导电类型、电阻率及径向电阻率变化、氧含量、碳含量应符合GB/T29504的要求. 4.2几何参数及表面要求 硅抛光片的几何参数应符合表1的要求.硅抛光片在表1中未列出的参数规格，由供需双方 协商解决. 表1300mm硅抛光片几何尺寸参数及表面质量 项目 指标 硅片厚度（中心点）/um 775 厚度允许偏差/um 士20 总厚度变化/pm 1.5 翘曲度/um 45 总平整度(TIR)/uIm 1.0 局部平整度(SFQR)(25mmX25mm)/m 0.10 ≥0.12m i 80 局部光散射体LLSs ≥0.16m 40 (正表面)/（个/cm2) < ≥0.2gm < 15 表面金属含量/（原 Cu/Cr/Fe/Ni 1.0X100 子数/cm2) Al/Zn/K/Na/Ca 5.0X1010 体金属（铁）含量/（原子数/cm3) 5.0X1010 4.3晶体完整性...
GB/T 29506-2013 300mm 硅单晶抛光片.pdf
