ICS29.045 H82 中华人民共和国国家标准雅 GB/T29508-2013 300mm硅单晶切割片和磨削片 300 mm monocrystalline silicon as cut slices and grinded slices 2013-05-09发布 2014-02-01实施 303 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 发布 利涂真伪 GB/T29508-2013 300mm硅单晶切割片和磨削片 1范围 本标准规定了直径300mm、p型、<100>晶向、电阻率0.50cm~200cm的硅单晶切割片和 磨削片（简称硅片）产品的术语和定义、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输、贮存等. 本标准适用于直径300mm直拉单晶经切割、磨削制备的圆形硅片，产品将进一步加工成抛光片， 用于制作集成电路IC用线宽90nm技术需求的衬底片. 2规范性引用文件 .下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1551硅单晶电阻率测定方法 GB/T1554硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T1555半导体单晶晶向测定方法 GB/T1557硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1558硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T6616半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法 GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T11073硅片径向电阻率变化的测试方法 GB/T13388硅片参考面结晶学取向X射线测量方法 GB/T14140硅片直径测量方法 GB/T14264半导体材料术语 GB/T26067硅片切口尺寸测试方法 GB/T29504300mm硅单晶 GB/T29507硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法 YS/T26硅片边缘轮廓检验方法 SEMI MF1390硅片翘曲度的无接触自动扫描测试方法 3术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件. 4技术要求 4.1物理性能参数 硅片的导电类型、电阻率及径向电阻率变化、间隙氧含量、代位碳含量应符合GB/T29504的规定. 1 GB/T29508-2013 4.2几何参数 硅片的几何参数应符合表1的规定.硅片在表1中未列出的参数规格，按供需双方协商提供. 用户有特殊要求的，由供需双方协商提供. 表1硅片几何参数要求 项目 指标 硅片直径/mm 301 直径允许偏差/mm 士0.3 硅片厚度（中心点）/um 910 切 厚度允许偏差/um 割 士15 片 总厚度变化/um 20 翘曲度/um 50 崩边/mm 0.8 切口 有 硅片直径/mm 300 直径允许偏差/mm ±0.2 磨 硅片厚度（中心点）/m 820 削 厚度允许偏差/um ±15 片 总厚度变化/pm 1.2 翘曲度/gm 45 崩边 无 4.3晶体完整性 硅片的晶体完整性应符合GB/T29504的规定. 4.4表面取向 4.4.1硅片的表面取向为<100>. 4.4.2硅片表面取向偏离不大于0.5°. 4.5基准标记 直径300mm硅片切口的基准轴取向及尺寸应符合表2要求. 表2硅片切口的要求 项目 指标 切口基准轴取向及偏差 <110>±1° 深度/mm 1.00...
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