ICS31.030 L90 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T29844-2013 用于先进集成电路光刻工艺综合 评估的图形规范 Specifications for metrology patterns for the evaluation of advanced photolithgraphy 2013-11-12发布 2014-04-15实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T29844-2013 用于先进集成电路光刻工艺综合 评估的图形规范 1范围 本标准规定了用于先进集成电路光刻工艺综合评估的标准测试图形单元的形状、一般尺寸，以及推 荐的布局和设计规则，这些标准测试图形包括可供光学显微镜和扫描电子显微镜用的各种图形单元. 本标准适用集成电路的工艺、常规掩模版、光致抗蚀剂和光刻机的特征和能力作出评价及交替移相 掩模版相位测量，适用于g线、i线、KrF、ArF等波长的光刻设备及相应的光刻工艺. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T16878一1997用于集成电路制造技术的检测图形单元规范 SJ/T10584一1994微电子学光掩蔽技术术语 3术语和定义 GB/T16878一1997和SJ/T10584一-1994界定的以及下列术语和定义适用于本文件. 3.1 掩模版误差因子mask error factor;MEF 把掩模版上的图形转移到硅片上时，硅片上图形线宽对掩模版线宽的偏导数. 注：影响掩模版误差因子的因素有曝光条件、光刻胶性能、光刻机透镜像差、后烘温度等.对远大于暖光波长的图 形，掩模版误差因子通常非常接近1.对接近或者小于波长的图形，掩模版误差因子会显著增加，而使用交替 相移掩模版的线条光刻可以产生显著小于1的掩模板误差因子.在光学邻近效应校正中细小补偿结构附近会 显著小于1， 3.2 移相掩模版phase shift mask 在光刻掩模的不同区域上制作出特定的光学厚度，使得光透过不同区域产生相位差，以达到提高成 像对比度和光刻工艺窗口的掩模版. 3.3 离轴照明off-axis illumination 为进一步提高投影光刻机的光刻分辨率，让照明光束以偏离透镜对称轴方向斜入射的照明方法. 3.4 光酸分子有效扩散长度effective diffusion length of photo-generated acid 化学放大光致抗蚀剂在曝光后的烘烤过程中光酸分子在光致抗蚀剂聚合物中的随机扩散形成的扩 散长度. 3.5 交替移相掩模版alternating phase shifting mask 由常规的透光区和能使光产生180相移的石英移相器区交替排列的移相掩模，也称为Levenson 1 GB/T29844-2013 型移相掩模. 4概述 4.1本标准中所规定的标准测试图形单元可以采用光刻方法或者其他在硅片上直接形成图形的方法 做在半导体基片的光掩蔽层上，用于集成电路(IC)生产或研发过程中光刻工艺综合评估. 4.2除非特殊说明，本标准中所述标准测试图形单元的具体细节，如取向、大小、线宽范围、明暗特性 (选择亮场或者暗场)等，一般均由用户确定.采用本标准中所述基本图形单元进行测试，出具结果报告 时，应说明基本图形单元的细节. 5要求 5.1总则 5.1.1本标准中所规定的每一种标准测试图形单元是由若干个基本测试图形组成的.标准测...
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