GB/T 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片.pdf

中华人民共和国,氮化镓,其他规范
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ICS29.045 H83 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片 Gallium nitride based epitaxial layer for LED lighting 2014-07-24发布 2015-04-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T30854-2014 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC2)共同提出并归口. 本标准起草单位:中国科学院半导体研究所. 本标准主要起草人:魏学成、赵丽霞、王军喜、曾一平、李晋闽、提刘旺. GB/T30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片 1范围 本标准规定了LED发光用氮化镓基外延片(以下简称外延片)的要求、检验方法和规则以及标志、 包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容. 本标准适用于LED发光用氮化镓基外延片. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括的修改单)适用于本文件. GB/T191包装储运图示标志 GB/T2828.1计数抽样检验程序第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GB/T6618硅片厚度和总厚度变化测试方法 GB/T6619硅片弯曲度测试方法 GB/T6620硅片翘曲度非接触式测试方法 GB/T13387硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T14140硅片直径测量方法 GB/T14142硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法 GB/T14264半导体材料术语 GB/T14844半导体材料牌号表示方法 SJ/T11399半导体二极管芯片测试方法 3术语和定义 GB/T14264界定的术语和定义适用于本文件. 4要求 4.1分类 外延片包括LED全结构外延片和按导电类型分为n型和p型两种类型的单层氮化镓外延片(外延 厚度超过100μm通常称为氮化镓单晶). 4.2牌号 外延片牌号表示按照GB/T14844的规定. 4.3规格 外延片直径主要分为50.8mm、中76.2mm、100mm、150mm4种规格,或由供需双方商定. 1 ...

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