ICS77.040 H21 GE 中华人民共和国国家标准 GB/T30860-2014 太阳能电池用硅片表面粗糙度及 切割线痕测试方法 Test methods for surface roughness and saw mark of silicon wafers for solar cells 2014-07-24发布 2015-04-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 热意地 中国国家标准化管理委员会 除会真伪 GB/T30860-2014 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC2)共同提出并归口. 本标准起草单位：中国有色金属工业标准计量质量研究所、瑟米莱伯贸易（上海）有限公司、江苏协 鑫硅材料科技发展有限公司、有研半导体材料股份有限公司、特变电工新疆新能源股份有限公司、洛阳 鸿泰半导体有限公司、连云港国家硅材料深加工产品质量监督检验中心. 本标准主要起草人：徐自亮、任皓、陈佳淘、李锐、孙燕、熊金杰、杨素心、蒋建国、王丽华、薛抗美、 黄黎. I GB/T30860-2014 太阳能电池用硅片表面粗糙度及 切割线痕测试方法 1范图 本标准规定了太阳能电池用硅片（以下简称硅片）的表面粗糙度及切割线痕的接触式或非接触式轮 廓测试方法. 本标准适用于通过线切工艺加工生产的单晶和多晶硅片.如果需要适用于其他产品，则需相关各 方协商同意. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T1031产品几何技术规范(GPS)表面结构轮廓法表面粗糙度参数及其数值 GB/T3505产品几何技术规范(GPS)表面结构轮廓法术语、定义及表面结构参数 GB/T10610产品几何技术规范(GPS)表面结构轮廓法评定表面结构的规则和方法 GB/T14264半导体材料术语 GB/T18777产品几何技术规范(GPS)表面结构 轮廓法 相位修正滤波器的计量特性 GB/T26071太阳能电池用硅单晶切割片 GB/Z26958(部分)产品几何技术规范(GPS)滤波 GB/T29055太阳电池用多晶硅片 GB/T29505硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法 GB/T30859 太阳能电池用硅片翘曲度和波纹度测试方法 3术语和定义 GB/T1031、GB/T3505、GB/T10610、GB/T14264、GB/T18777、GB/T26071、GB/T29055和 GB/Z26958界定的术语和定义适用于本文件. 4方法原理 4.1表面粗糙度 4.1.1一般认为硅片表面粗糙度是硅片表面空域波长小于0.5mm的硅片表面变化，测量采用各种接 触式或非接触式技术的探头，在硅片表面最粗糙的单个或多个区域，或者某些规定的区域，沿一定的扫 描路径进行扫描，得到硅片表面轮廓，进一步提取出粗糙度轮廓，最后计算出硅片表面粗糙度值. 4.1.2表征硅片表面粗糙度的参数推荐使用粗糙度轮廓算术平均偏差Ra、粗糙度轮廓最大高度Rx、 粗糙度轮廓均方根Rq、粗糙度轮廓单元平均宽度Rsm.如有必要也可采用其他参数.更详细的信息 可参见GB/T1031、GB/T3505、GB/T10610、GB/T18777、GB/T26071、GB/T29505和GB/T30859. 1 ...
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