ICS77.040 H21 GB 中华人民共和国国家标雅 GB/T32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法 Test method for flatness of monocrystalline silicon carbide wafers 2015-12-10发布 2017-01-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T32278-2015 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本标准起草单位：北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所. 本标准主要起草人：陈小龙、郑红军、张玮、郭钰. I GB/T32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法 1范围 本标准规定了碳化硅单晶抛光片的平整度，即总厚度变化(TTV)、局部厚度变化(LTV)、弯曲度 (Bow)、翘曲度(Warp)的测试方法. 本标准适用于直径为50.8mm、76.2mm、100mm 厚度0.13mm~1mm碳化硅单晶抛光片平整 度的测试. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T14264半导体材料术语 GB50073洁净厂房设计规范 3术语和定义 GB/T14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件. 3.1 局部厚度变化local thickness variation;LTV 以晶片的底平面为参考面，晶片表面特定（面积）区域内厚度最高点（最大值）和最低点（最小值）之 间的差.晶片的LTV指整片上测试区域LTV的最大值，示意图见图1. 特定面积 LTV LTV: LTV3 LTV LTV. 边缘去除区 LTV=max(LTV) 图1局部厚度变化(LTV)示意图 4方法提要 一束平行光被分光镜（棱镜）分为两束光，其中一束经过固定的反射镜形成参考光，另一束经过移动 的反射镜形成测量光，参考光和测量光经过分光镜（棱镜）后汇合.如果两束光相位相同，光波叠加增 1 ...
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