GB/T 32814-2016 硅基MEMS制造技术 基于SOI硅片的MEMS工艺规范.pdf

ICS31.200 L55 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T32814—2016 硅基MEMS制造技术 基于SOI硅片的MEMS工艺规范 Silicon-based MEMS fabrication technology- Specification for criterion of the SOI wafer based MEMS process 2016-08-29发布 2017-03-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T32814-2016 目 次 前言 I 1范围 .1 2规范性引用文件 1 3术语和定义 4工艺流程 1 4.1概述 .1 4.2硅片清洗 2 4.3掩膜制备 .2 4.4干法刻蚀 4 4.5结构释放 5 4.6硅片去掩膜 .7 5工艺加工能力 7 5.1工艺能力要求 7 5.2工艺稳定性要求 .8 6工艺保障条件要求 8 6.1人员要求 .8 6.2环境要求 .8 6.3设备要求 8 7原材料及辅助材料要求 9 8安全与环境操作要求 9 8.1安全 8.2化学试剂 10 8.3排放 10 9检验 .10 9.1总则 10 9.2关键工艺检验10 9.3最终检验11 GB/T32814-2016 硅基MEMS制造技术 基于SOI硅片的MEMS工艺规范 1范围 本标准规定了采用SOI硅片进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和质量检验要求. 本标准适用于硅基MEMS制造技术中基于SOI硅片的MEMS器件的加工和质量检验. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T26111微机电系统(MEMS)技术术语 GB50073洁净厂房设计规范 3术语和定义 GB/T26111界定的以及下列术语和定义适用于本文件. 3.1 绝缘体上硅silicon-on-insulator;SOI 在两层硅中间引入一层氧化层，形成一种“硅-二氧化硅硅”的三明治结构的技术.其中顶层硅称 为器件层(device layer) 底层硅称为衬底层(handle layer) 二氧化硅层称为埋层(buried layer). 注：目前制备SOI硅片的技术包括注氧隔离(separation by implanted oxygen SIMOX)技术、硅片键合和背面减薄 (bonding SOI BSOI)技术和将键合与注人相结合的智能剥离(smart cut)技术. 3.2 释放releasing 使MEMS结构中的可动部分与其余部分分离，使其可动的过程. 3.3 深反应离子刻蚀deep reactive lon etching;DRIE 一种具有高深宽比的反应离子刻蚀方法，通常采用感应耦合等离子体(inductively coupled plasma I...