GB/T 4937.3-2012 半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分:外部目检.pdf

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ICS31.080.01 L40 中华人民共和国国家标准 GB/T4937.3-2012/IEC60749-3:2002 半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分:外部目检 Semiconductor devices- Mechanical and climatic tests methods- Part 3:External visual examination (IEC60749-3:2002 IDT) 2012-11-05发布 2013-02-15实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 38 中国国家标准化管理委员会 发布 列防伤 GB/T4937.3-2012/IEC60749-3:2002 前 言 GB/T4937《半导体器件机械和气候试验方法》由以下部分组成: —第1部分:总则; —第2部分:低气压; —第3部分:外部目检; 第4部分:强加速稳态湿热试验(HAST); 一第5部分:稳态温湿度偏置寿命试验; —第6部分:高温贮存; 一第7部分:内部水汽含量测试和其他残余气体分析; 一第8部分:密封; 第9部分:标志耐久性; —第10部分:机械冲击; 一一第11部分:快速温度变化双液槽法; 一第12部分:变频振动; 一第13部分:盐气; 一第14部分:引线牢固性(引线强度); 一第15部分:通孔安装器件的耐焊接热; —第16部分:粒子碰撞噪声检测(PIND); 一第17部分:中子辐射; 一第18部分:电离辐射(总剂量); 一第19部分:芯片剪切强度; 一一第20部分:塑封表面安装器件的耐湿和耐焊接热; 一第21部分:可焊性; 一第22部分:键合强度; 一第23部分:高温工作寿命; 第24部分:加速耐湿无偏置强加速应力试验; 一第25部分:温度循环; 一第26部分:静电放电(ESD)敏感度试验人体模式(HBM); 一一第27部分:静电放电(ESD)敏感度试验机械模式(MM); 一第28部分:静电放电(ESD)敏感度试验器件带电模式(CDM)(考虑中); 一第29部分:门锁试验; 一第30部分:非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理; 一第31部分:塑封器件的易燃性(内部引起的); 一第32部分:塑封器件的易燃性(外部引起的); 一第33部分:加速耐湿无偏置高压蒸煮; —第34部分:功率循环; 一第35部分:塑封电子元器件的声学扫描; 一第36部分:恒定加速度; 一一第37部分:手持电子产品用元器件桌面跌落试验方法; GB/T4937.3-2012/IEC60749-3:2002 一第38部分:半导体器件的软错误试验方法; 一一第39部分:半导体元器件原材料的潮气扩散率和水溶解率测量. 本部分是GB/T4937的第3部分. 本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本部分使用翻译法等同采用EC60749-3:2002《半导体器件机械和气候试验方法第3部分: 外部目检》. 为便于使用,本部分做了下列编辑性修改: a)用小数点“.”代替作为小数点的逗号“,”; b)删除国际标准的前言. 本部分由中华人民共和国工业和信化部提出一 本部分由全国半导体器件标化技术委员会(SAG/TC78)归口. 本部分起草单位:中国电子科技集团公司第十三研究所. 本部分主要起草人陈海蓉李丽霞、崔波. ...

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