GB/T 5594.4-2015 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 第4部分:介电常数和介质损耗角正切值的测试方法.pdf

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ICS31-030 L90 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T5594.4—2015 代替GB/T5594.4-1985 电子元器件结构陶瓷材料 性能测试方法 第4部分:介电常数和介质损耗角 正切值测试方法 Test methods for properties of structure ceramic used in electronic ponent and device-Part 4:Test method for permittivity and dielectric loss angle tangent value 2015-05-15发布 2016-01-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会 发布 GB/T5594.4-2015 前言 GB/T5594《电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法》分为以下部分: —气密性测试方法(GB/T5594.1); —杨氏弹性模量泊松比测试方法(GB/T5594.2); —第3部分:平均线膨胀系数测试方法(GB/T5594.3); 一第4部分:介电常数和介质损耗角正切值测试方法(GB/T5594.4); 一—体积电阻率测试方法(GB/T5594.5); —第6部分:化学稳定性测试方法(GB/T5594.6); —第7部分:透液性测定方法(GB/T5594.7); —第8部分:显微结构测定方法(GB/T5594.8); —电击穿强度测试方法(GB/T5594.9). 本部分为GB/T5594的第4部分. 本部分按照GB/T1.1一2009给出的规则起草. 本部分代替GB/T5594.4一1985《电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法介电常数和介质损耗 角正切值的测试方法》. 本部分与GB/T5594.4一1985相比,主要有下列变化: —一标准名称改为:“电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法第4部分:介电常数和介质损耗角 正切值测试方法”; ——增加了4.1介电常数测试和计算; 一删除了原标准测试夹具类型示意图中:a.尖形电极;b.尖对平板形电极. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任. 本部分由中华人民共和国工业和信息化部提出. 本部分由中国电子技术标准化研究院归口. 本部分起草单位:中国电子科技集团公司第十二研究所、中国电子技术标准化研究院、北京七星飞 行电子有限公司. 本部分主要起草人:曾桂生、李晓英、薛晓梅. 本部分所代替标准的历次版本发布情况为: —GB/T5594.4-1985. I GB/T5594.4-2015 电子元器件结构陶瓷材料 性能测试方法 第4部分:介电常数和介质损耗角 正切值测试方法 1范围 GB/T5594的本部分规定了装置零件、真空电子器件、电阻基体、半导体及集成电路基片等用电子 陶瓷材料介电常数和介质损耗角正切值的测试方法. 本部分适用于装置零件、真空电子器件、电阻基体、半导体及集成电路基片等用电子陶瓷材料在频 率为1MHz 温度从室温至500℃条件下的介电常数和介质损耗角正切值的测试. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括的修改单)适用于本文件. GB/T5593一2015电子元器件结构陶瓷材料 GB/T9530一1988电子陶瓷名词术语 3术语和定义 GB/T9530一1988界定的以及下列术语和定义适用于本文件. 3.1 介电常数permittivity 反应电介质介电...

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