GB/T 6588-2000 半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范.pdf

ICS31.080.10 L41 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T6588—2000 eqv IEC747-3-1:1986 QC750001 半导体器件分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 第1篇信号二极管、开关二极管和 可控雪崩二极管空白详细规范 Semiconductor devices-Discrete devices Part 3:Signal(including switching)and regulator diodes Section One Blank detail specification for signal diodes switching diodes and controlled-avalanche diodes 2000-10-17发布 2001-10-01实施 国家质量技术监督局发布 GB/T6588-2000 前言 本标准等效采用IEC747-3-1:1986《半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二 极管第1篇一信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范》对GB/T6588一1986《通 用信号和（或）开关半导体二极管空白详细规范》进行修订.由于IEC747-3-1引用的IEC747-11《半导 体器件第11部分：半导体器件分规范》是1985年版本，在此之后EC747-11进行了多次修改，我国 已等同采用IEC747-11:1996修订了GB/T12560一1999《半导体器件分立器件分规范》，为了使标准 更具有先进性和可操作性，本标准引用了GB/T12560一1999. 本标准与GB/T6588-1986的主要差别如下： 1在标准文本前面增加了前言与IEC前言. 2因引用的标推更改而修改的内容有： 引用标准处 GB/T6588-1986 本标准 全文中涉及到“总 GB/T4936.1一1985《半导体分立 GB/T4589.1一1989《半导体器件 规范”处 器件总规范》 分立器件和集成电路总规范》(IEC 747-10:1984) B8、C8分组电耐 GB/T1938一1985《半导体分立器 GB/T6571一1995《半导体器件 久性 件接收和可靠性》 分立器件第3部分：信号（包括开 关)和调整二极管》(IEC747-3:1985) B3、B4、B5分组 GB/T4937一1985《半导体分立器 GB/T4937一1995半导体器件机 C3、C4分组 件机械和气候试验方法》 械和气候试验方法》(IEC749:1984) B5分组 GB/T2423.4一1981《电工电子产 GB/T4937一1995《半导体器件机 交变湿热 品基本环境试验规程试验Db:交变 械和气候试验方法》(IEC749:1984) 湿热试验方法》 3增加了4.4.3“正向浪涌电流”. 4增加了可控雪崩二极管的技术内容. 5根据GB/T6571一1995对2个电参数名称进行了修改： 一一原版4.3.1中“恒定（直流）反向电压”改为“反向直流电压”； 一原版4.4.1中“恒定（直流）正向电流”改为“正向直流电流”. 6根据原文对几个电参数名称和符号或测试条件进行的修改： GB/T6588-1986 本规范 4.4.1中“IF(T)” Ir 45.1中“Po(T)” 4.6和C2分组中“WRRM/RM” ERRM/RSM 5.10中“Rh” RthGi-amb/Rsdi-cm/Rathci-leed) B5、B8、C4、C6、C8、C9分组中测试条件“A2分组” A2b分组 C7分组的最后测试“IR...