ICS49.060 H80 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T30110—2013 空间红外探测器碲镉汞外延材料 参数测试方法 Measuring methods of parameters of HgCdTe epilayers used for space infrared detectors 2013-12-17发布 2014-05-15实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T30110-2013 目 次 前言 I 1范围 2规范性引用文件 1 3术语和定义 4符号和说明 3 5材料参数测试方法 *4 5.1组分与厚度测试 ...4 5.2表面晶向测试 8 5.3晶格常数测试 9 5.4表面平整度测试10 5.5表面粗糙度测试 12 5.6材料电学参数测试 13 5.7少数载流子寿命测试16 5.8位错密度测试 18 5.9表面缺陷密度测试 20 5.10X射线双晶衍射半峰宽测试 5.11X射线形貌测试 22 5.12材料性能非均匀性测试 23 6空间环境下材料抗辐照性能测试方法 24 6.1试验条件 24 6.2材料抗辐照性能参数测试 24 7材料参数的精密度、精确度和不确定度测试方法 24 8测试设备要求 24 附录A(规范性附录)材料的光学常数25 附录B(规范性附录)纵向组分梯度分布的确镉汞外延材料透过率T.和反射率R 的计算26 附录C(资料性附录)激光干涉仪原理 29 附录D(资料性附录)位错密度测量值的标准均方差与腐蚀坑计数平均值的关系30 参考文献 31 GB/T30110-2013 空间红外探测器碲镉汞外延材料 参数测试方法 1范围 本标准规定了空间红外探测器用筛锅汞(HgCdTe)外延材料性能参数的测试方法和测试设备 要求. 本标准适用于空间红外探测器用硫锅汞外延材料的参数测试，其他用途的锅汞外延材料参数的 测试可参照使用. 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的.凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件.凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于本文件. GB/T1553一2009硅和体内少数载流子寿命测定-光电导衰减法 GB/T1555一2009半导体单晶晶向测定方法 GB/T4326一2006非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 GJB548B一2005微电子器件试验方法和程序 GJB1485材料物理性能测试方法的精密度、精确度和不确定度 GJB2712测量设备的质量保证要求计量确认体系 3术语和定义 下列术语和定义适用于本文件. 3.1 衬底substrate 为外延提供周期性排列的表面原子结构的单晶材料. 3.2 外延材料epitaxial material 在单晶衬底上用气相和液相等生长方法获得的单晶薄膜材料. 3.3 液相外延liquid phase epitaxy;LPE 把半导体材料溶解在溶剂中，使其形成饱和溶液，然后把此饱和溶液覆盖在单晶衬底上，降低温度， 溶液过饱和，在衬底上沿衬底结晶轴方向生长出新的半导体单晶薄层的工艺. [GB/T1...
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