ICS77.040 CCS H 21 G 强 中华人民共和国国家标准 GB/T42676-2023 半导体单晶晶体质量的测试X射线衍射法 Test method for crystalline quality of semiconductive single crystal- X-ray diffraction method 2023-08-06发布 2024-03-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布 GB/T42676-2023 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本文件起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所、有色金属技术经济研究院有限责任公 司、北京通美晶体技术股份有限公司、山东有研半导体材料有限公司、弘元新材料（包头）有限公司、哈 尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、浙江海纳半导体股份有限公司、国标（北京）检验认证 有限公司、丹东新东方晶体仪器有限公司、有研国晶辉新材料有限公司、江苏卓远半导体有限公司、新美 光（苏州）半导体科技有限公司. 本文件主要起草人：何炬坤、刘立娜、李素青、庞越、马春喜、许蓉、任殿胜、王元立、朱晓彤、李向宇、 杨阳、潘金平、王书明、赵松彬、林泉、李国平、张新峰、赵丽丽、夏秋良. I GB/T42676-2023 半导体单晶晶体质量的测试X射线衍射法 1范围 本文件描述了利用射线衍射仪测试半导体材料双晶摇摆曲线半高宽，进而评价半导体单晶晶体 质量的方法. 本文件适用于碳化硅、金刚石、氧化镓等单晶材料晶体质量的测试，硅、砷化镓、磷化铟等半导体材 料晶体质量的测试也可参照本文件执行. 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中，注日期的引用文 件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于 本文件. GB/T14264半导体材料术语 GB/T14666分析化学术语 GB/T32267分析仪器性能测定术语 3术语和定义 GB/T14264、GB/T14666和GB/T32267界定的以及下列术语和定义适用于本文件. 3.1 x轴X axis 样品台表面和衍射平面相交而成的倾斜样品的轴. 3.2 X角x angle 样品某晶面与样品表面的夹角. 3.3 p角o angle 样品台绕样品表面法线旋转的角度. 3.4 o角o angle 入射X射线与样品台表面的夹角. 4原理 4.1单晶的原子以三维周期性结构排列，其晶体可以看做原子排列于空间垂直距离为d的一系列平行 平面所形成，当一束平行的单色X射线射入该平面上，且X射线照在相邻平面之间的光程差为其波长 的整数倍即倍时，就会产生衍射（反射）.当人射光束与反射平面间的夹角O、X射线波长入、晶面间距 d及衍射级数n同时满足布拉格定理2dsin0=n入时，X射线衍射光束强度将达到最大值，此时的O被 1 ...
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