ICS77.040 CCS H 17 中华人民共和国国家标准 GB/T24582—2023 代替GB/T24582—2009 多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取-电感耦合等离子体质谱法 Test method for measuring surface metal impurity content of polycrystalline silicon-Acid extraction-inductively coupled plasma mass spectrometry method 2023-08-06发布 2024-03-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布 GB/T24582-2023 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草. 本文件代替GB/T24582一2009《酸浸取-电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质》，与 GB/T24582一2009相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下： a)更改了适用范围（见第1章，2009年版的第1章）； b)删除了“术语”与“缩略语”（见2009年版的第3章）； c)更改了方法原理（见第4章，2009年版的第4章）； d)更改了干扰因素（见第5章，2009年版的第5章）； e)更改了试剂和材料（见第6章，2009年版的第6章）； )更改了仪器设备（见第7章，2009年版的第7章） g)更改了样品要求（见第8章，2009年版的第8章）； h)更改了多晶硅块表面金属杂质浸取方式（见9.4 2009年版的9.2）； i)更改了试验数据处理（见第10章，2009年版的第10章）； j)更改了精密度（见第11章，2009年版的第11章）； k)更改了试验报告（见第12章，2009年版的第12章）. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本文件起草单位：亚洲硅业（青海）股份有限公司、内蒙古通威高纯晶硅有限公司、宜昌南玻硅材料 有限公司、青海芯测科技有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、新疆大全新能源股份有限公司、陕 西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、洛阳中硅高科技有限公司、新疆新特新能材料检测中心有限公 司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、江苏鑫华半导体科技股份有限公司、新疆协鑫新能源材料 科技有限公司. 本文件主要起草人：尹东林、郑连基、刘军、魏东亮、蔡延国、李素青、侯海波、田洪先、刘文明、 薛心禄、王彬、于生海、徐岩、曹岩德、姜士兵、邱艳梅、赵培芝、万首正、赵娟龙、申梅桂、刘海月、王春明. 本文件于2009年首次发布，本次为第一次修订. GB/T24582-2023 多晶硅表面金属杂质含量测定 酸浸取-电感耦合等离子体质谱法 警示—一使用本文件的人员应有正规实验室工作的实践经验.本文件并未指出可能的安全问 题，使用者有责任采取适当的安全和健康措施，并保证符合国家有关法律规定的条件. 1范围 本文件描述了用酸从多晶硅表面浸取金属杂质，并用电感耦合等离子质谱仪定量检测多晶硅表面 金属杂质含量的方法. 本文件适用于太阳能级多晶硅和电子级多晶硅表面碱金属、碱土金属和第一系列过渡元素如钠、 钾、钙、铁、镍、铜、锌、铝等杂质元素含量的测定，测定范围为0.01ng/g. 2规范性引用文件 下列文件中的内容通...
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