ICS77.040 CCS H 80 中华人民共和国国家标准 GB/T29057-2023 代替GB/T290572012 用区熔拉晶法和光谱分析法评价 多晶硅棒的规程 Practice for evaluation of polocrystalline silicon rods by float-zone crystal growth and spectroscopy 2023-08-06发布 2024-03-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布 GB/T29057-2023 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草. 本文件代替GB/T29057一2012《用区熔拉晶法和光谱分析法评价多晶硅棒的规程》，与 GB/T29057一2012相比，除结构调整和编辑性改动外，主要技术变化如下： a)删除了目的（见2012年版的第1章）； b)更改了范围（见第1章，2012年版的第2章）； ℃)将第3章“局限性”改为第5章“干扰因素”，并完善了干扰因素内容（见第5章，2012年版的 第3章)； d)更改了方法提要（见第4章，2012年版的第6章）； e)增加了籽晶的要求（见6.6）； f)增加了取样方案的选择（见9.8）； g)更改了试验数据处理（见第12章，2012年版的第13章）； h)更改了精密度（见第13章，2012年版的第14章）； i)删除了关键词（见2012年版的第15章）； j)增加了试验报告（见第14章）. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口. 本文件起草单位：青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司、有色金属技术经济研究院有 限责任公司、亚洲硅业（青海）股份有限公司、洛阳中硅高科技有限公司、四川永祥新能源有限公司、新疆 大全新能源股份有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、新疆新特新能材料检测中心有限公司、陕 西有色天宏瑞科硅材料有限责任公司、江苏鑫华半导体科技股份有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、 青海丽豪半导体材料有限公司、乐山市产品质量监督检验所、新疆协鑫新能源材料科技有限公司. 本文件主要起草人：秦榕、薛心禄、李素青、王志强、万烨、贺东江、岳峥、张孝山、赵生良、郭光伟、 陈雪刚、于生海、邓远红、王彬、邱艳梅、徐岩、刘国霞、万首正、田洪先、刘文明、赵小飞、梁洪、赵娟龙. 本文件于2012年首次发布，本次为第一次修订. I GB/T29057-2023 用区熔拉晶法和光谱分析法评价 多晶硅棒的规程 1范围 本文件规定了多晶硅棒取样、将样品区熔拉制成单晶以及通过低温红外光谱法或光致发光光谱法 对拉制好的单晶硅棒进行分析以确定多晶硅中施主、受主、代位碳和间隙氧杂质含量等的规程. 本文件适用于评价硅芯上沉积生长的棒状多晶硅. 2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款.其中，注日期的引用文 件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用于 本文件. GB/T620化学试剂氢氟酸 GB/T626化学试剂硝酸 GB/T1550非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1551硅单晶电阻率的测定直排四探针法和直流两探针法 GB/T1553硅和锗体内少数载流子寿命的测定...
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