ICS 31.200 CCS L59 中华人民共和国国家标准 GB/T42897-2023 微机电系统（MEMS）技术 硅基MEMIS纳米厚度膜抗拉强度试验方法 Micro-electromechanical systems(MEMS）technology-- Tensile strength test method for nano-scale membranes of silicon based MEMS 2023-08-06发布 2023-12-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布
GB/T42897-2023 目 盜次 前言 1范围 2规范性引用文件 3术语和定义 4试验要求 5试验方法 附录A（资料性） 推荐形变量标尺结构及其指示数值读取方法 附录B（资料性） 纳米厚度膜抗拉强度原位片上试验机体硅工艺制备实例
GB/T42897-2023 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。
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本文件由全国微机电技术标准化技术委员会（SAC/TC336）提出并归口。
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GB/T 42897-2023 微机电系统（MEMS）技术 硅基MEMIS纳米厚度膜抗拉强度试验方法 1范围 本文件描述了硅基MEMS加工过程中所涉及的纳米厚度膜轴向抗拉强度原位试验的要求和试验 方法。
本文件适用于采用微电子工艺制造的纳米厚度膜抗拉强度测试。
2规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。
其中，注日期的引用文 件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括的修改单）适用干 本文件。
GB/T26111微机电系统（MEMS)技术术语 3术语和定义 GB/T26111界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1 硅加工工艺silicon process 硅微加工技术。
注：虽然硅工艺一般分为表面微加工和体硅微加工，但其中的许多技术是相同的。
[来源：GB/T26111-2010,3.5.2] 3.2 原位片上抗拉强度试验机insituon-chiptensilestrengthtester 由测试结构和测试装置组成，并将二者集成在同一品圆上采用同一硅加工工艺流程加工形成的用 于评估工艺相关微纳结构抗拉强度的试验机。
3.3 测试结构test structure 为了测量材料性能或微结构的性能专门制作的微纳结构。
注：例如，悬臂梁或者是固定梁。
[来源：GB/T26111-2010，3.7.19，有修改] 3.4 测试装置testing device 将力或位移传递到测试结构同时可以读出力或位移的微结构。
4试验要求 4.1原位片上抗拉强度试验机的设计要求 原位片上抗拉强度试验机的结构示意图如图1所示。
GB/T 42897-2023 , a）原位片上试验机示意图 b）原位片上试验机三视图 测试结构 折叠架 tudho 测力梁 形变量标尺 c）原位片上试验机局部放大图 标引序号说明： 折叠梁； L 测试结构同测试装置交叠部分长度： 2 测试结构： L 测试结构端部的宽度； 3 折叠梁； L 测试结构中间部分宽度； 1 圆形锚点； L 折叠梁宽度； 5 测力梁； Ls 折叠梁长度； 6 形变量标尺； Ls 测力梁宽度； 7 圆环结构层： L 测力梁长度： 8 游标； Ls 形变量标尺主尺的宽度； 6 主尺； L, 形变量标尺主尺的间隔； 驱动加载点； L10 形变量标尺游标的宽度； H, 测试装置硅结构层厚度； N, 折叠梁的根数； H 测试结构厚度； N 形变量标尺主尺的根数。
图1纳米厚度膜抗拉强度原位片上试验机 2...
