ICS31.200 CCS L 56 G 中华人民共和国国家标准 GB/T42975-2023 半导体集成电路驱动器测试方法 Semiconductor integrated circuits-Test method of driver device 2023-09-07发布 2024-01-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布 GB/T42975-2023 目 次 前言 1范围 1 2规范性引用文件 1 3术语和定义 1 4一般要求 5静态参数测试 2 5.1输入高电平电压(V1H) 2 5.2输入低电平电压(V.) 3 5.3输入钳位电压(Vk) 3 5.4输入高电平电流(Im) 4 5.5输入低电平电流(1) 5 5.6输入阻抗(RN) 6 5.7输出高电平电压(Von)6 5.8输出低电平电压(Vo) 5.9输出阻抗(Rou)8 5.10输出漏电流(11k) 9 5.11输出短路电流(Ios)10 5.12峰值电流(Ik)10 5.13差分输出电压(Vo) 12 5.14差分输出电压变化（△Von)14 5.15共模输出电压(Vos) 14 5.16共模输出电压变化（△Vos)15 5.17静态电流(IDQ) 15 6动态参数测试 16 6.1电源电流(IpD) 16 6.2输出由低电平到高电平传输延迟时间(tH)17 6.3输出由高电平到低电平传输延迟时间(tPH) 20 6.4输出上升时间(t ) 20 6.5输出下降时间(t) .21 6.6输出偏斜(tsk) 21 6.7时钟抖动(jAD) 22 6.8输入电容(C)和输出电容(Co)23 GB/T42975-2023 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出. 本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口. 本文件起草单位：中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集团公司第二十四研究所、安徽大华 半导体科技有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、广东省中绍宣标准化技术研究院有限公 司、中国电子科技集团公司第五十八研究所、中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所、成都 振芯科技股份有限公司. 本文件主要起草人：刘芳、周俊、杨晓强、纵雷、刘凡、霍玉柱、林瑜攀、陆坚、梁希、王会影. I ...
GB/T 42975-2023 半导体集成电路 驱动器测试方法.pdf
