GB/T 43063-2023 集成电路 CMOS图像传感器测试方法.pdf

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ICS31.200 CCS L55 G 中华人民共和国国家标准 GB/T43063-2023 集成电路CMOS图像传感器测试方法 Integrated circuit-Test method for CMOS image sensors 2023-09-07发布 2024-01-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布 GB/T43063-2023 目 次 前言 Ⅲ 1范围 1 2规范性引用文件 1 3术语和定义 4测试参数名称及符号 5一般要求 2 5.1测试环境 2 5.2测试系统 2 5.3规定条件 3 5.4静电防护要求 3 6测试方法 4 6.1转换增益K 4 6.2暗信号S 7 6.3暗信号非均匀性(固定图形噪声)FPN8 6.4读出噪声Nm 6.5响应非线性Ln10 6.6 满阱电荷数Ns 11 6.7动态范围D12 6.8 信噪比S/N 13 6.9光响应非均匀性PRNU 13 6.10 灵敏度R 15 6.11 缺陷像元 16 6.12 电荷滞留NRE 17 6.13 抗弥散性 18 6.14 量子效率 19 6.15 光谱响应度R 22 6.16峰值响应波长入 23 6.17 光谱响应范围 23 6.18调制传递函数(奈奎斯特频率)MTFN 6.19 动态调制传递函数(奈奎斯特频率)MTFs .26 6.20角度响应曲线 28 I GB/T43063-2023 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出并归口. 本文件主要起草单位:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所、重庆光电技术研究所、天津大 学、长春精测光电技术有限公司、中国电子技术标准化研究院、深圳佑驾创新科技有限公司. 本文件主要起草人:李俊霖、张涛、兰太吉、杨永强、赵宇、聂真威、韩冰、金辉、马洪涛、卢岩、徐江涛、 刘昌举、唐延甫、聂凯明、李金、高志远、马悦、刘国清、王琪、刘秀娟. ...

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