ICS31.080.30 CCS L 42 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11849—2022 半导体分立器件 3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率 晶体管详细规范 Semiconductor discrete devices Detail specification for silicon NPN high frequency low power transistor of 3DG3500 and 3DG3501 2022-10-20发布 2023-01-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ/T11849-2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)提出并归口. 本文件起草单位：石家庄天林石无二电子有限公司、中国电子技术标准化研究院、北京微电子技术 研究所. 本文件主要起草人：赵王玲、 宋凤领 赵昕、高盼红、朱伟娜、崔莹莹. INDUSTRY HO AXL SIN ECHNO SJ STANDARDS SJ/T11849-2022 半导体分立器件3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率 晶体管详细规范 1范围 本文件规定了3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率双极型晶体管（以下简称器件）的详细要求. 2规范性引用文件 AND INFOR 下列文件中的内容通过文书的规范性引用而构成本 的条款.其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用本文件：不注日期的引用文件，其最新版包括的修改单)适用于本 文件. GB/T2423.23 2018环境试验第2部分：试验方法试验Q:密封 GB/T45871994半导体分器件和成电路第7部 分双极型晶体 GB/T 45891一2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T493741995 半导体器件机械和候试验方法 GB/T49314一2018半导体器件机械和气候试验方法第14部分：引出强度（引线牢固度） GB/T493715一2018半导体器件机械和气候试验方法第15部分：孔安装器件的耐焊接热 GB/T4937.21一2018半导体器件机械和气候试验方法第21部分： 可焊性 GB/T781- 1987半导体分立器件外形尺寸 GB/T1260—1999 3术语和定义 本文件没有需要界定的术语和定义 MOOTON 4要求 4.1总则 器件应符合本文件的规定. DE 质量评定类别符合6B/T4589 2006和GB/T 56 1999的规定.质量评定类别为Ⅱ类. 4.2设计、结构和外形尺寸 NDA 4.2.1器件设计、结构 芯片采用硅外延平面结构，封装采用金属气密式封装. 4.2.2外形尺寸 外形符合GB/T7581一1987中A3一02B型的规定.外形图见图1，外形尺寸见表1. ...
SJ/T 11849-2022 半导体分立器件3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率晶体管详细规范.pdf
