ICS31.080.30 CCS L 42 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11850—2022 半导体分立器件 3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型 NPN硅小功率开关晶体管详细规范 Semiconductor discrete devices Detail specification for silicon NPN low power switching transistor of 3DK2219A 3DK2222A and 3DK2222AUB 2022-10-20发布 2023-01-01实施 SJ 中华人民共和国工业和信息化部发布 FANDARO心 SJ/T11850—2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)提出并归口. 本文件起草单位：石家庄天林石无二电子有限公司、中国电子技术标准化研究院、北京微电子技术 研究所. 本文件主要起草人：赵王玲、 王立康 宋凤领、赵昕、高盼红、朱伟娜. INDUSTRY HO ECHNOLO SJ STANDARDS SJ/T11850—2022 半导体分立器件3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型 NPN硅小功率开关晶体管详细规范 1范围 本文件规定了3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率开关晶体管（以下简称器 件)的详细要求. 2规范性引用文件 下列文件中的内容通Y AND INFORM 中的规范性引用而构成本文件必 的 条款其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本 (急括的修改单)适用于本 文件. GB/T2423.29 -2013 境试验第2部分：试验方法 式验Q:封 GB/T4581994 半导体分立器件和华成电路第7部分：双极型晶体管 GB/T4589.1-2006 半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T497一1995半导体器件机械和气候试验方法 GB/T 493.14一2018半导体器件机械和气候试验方法 第14部分：引出端强应（引线牢固度） GB/T4937.15-2018 半导体器件机械和气候试验方法第15部分：通孔装器件的耐焊接热 GB/T4987.21-2018 半导体器件机械和气候试验方法第21部分： 可焊性 GB/T758-1987 导体分立器件外形尺寸 GB/T12560—1999 半亲体婴件分立器件分规范 3术语和定 本文件没有要界定的术语和定义. MOOTON 4要求 2 4.1总则 器件应符合本文件的规足 质量评定类别符合GBT4589 A和GB/T RDS 1999的规定.质量评定类别为Ⅱ类. 4.2设计、结构和外形尺寸 4.2.1器件设计、结构 芯片采用硅外延平面结构，封装采用金属气密式封装. 4.2.2外形尺寸 3DK2219A外形符合GB/T7581一1987中A3一02B型的规定.外形图见图1，外形尺寸见表1. ...
SJ/T 11850-2022 半导体分立器件3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率开关晶体管详细规范.pdf
