ICS31.080.30 CCS L42 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11851—2022 半导体分立器件 S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管 详细规范 Semiconductor discrete devices Detail specification for silicon NPN low power switching transistor pair of S3DK5794 2022-10-20发布 2023-01-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ FANDAROS SJ/T11851—2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)提出并归口. 本文件起草单位：石家庄天林石无二电子有限公司、中国电子技术标准化研究院、北京微电子技术 研究所. 本文件主要起草人：赵玉玲、吕瑞岸、尚盼红、美存、宋凤领、王立康、赵听、崔莹莹、朱伟娜. AND INDUSTRY HO CHNO SJ STANDARDS SJ/T11851-2022 半导体分立器件 S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管详细规范 1范围 本文件规定了S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管（以下简称器件）的详细要求. 2规范性引用文件 AND INFOR 下列文件中的内容通过 的规范性 用书山 文件必不的条款.其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件：不注日期的引用文件，其最新版零包抵的修改单)适用于本 文件. GB/T2423. 203环境试验第2部分：试验方法试验Q: GB/T4581994半导体分立器件租集成电路第7部 分双极型晶体管 GB/T 4589一2006半导体器件第10部分：分立器件和集成电路总规范 GB/T4Z一1995半导体器件机械和气候试验方法 四 GB/T 493.14一2018半导体器件机城和气候试验方法 第14部分：引出端强度（引线牢固度） GB/厂4937.5一2018半导体器件机械和气候试验方法第15部分：通礼安装器件的耐焊接 热 GB/T 07.21-2018 导体器件机械和气候试验方法第21部分：可 性 GB/T7581 1987半导体分外形尺寸 GB/T125501999 半导体器件分立器件分规范 3术语和定义 A9010 本文件没有需要界定的术语和定义. 4要求 STANDARDS 4.1总则 器件应符合本文件的规定. 质量评定类别符合GB/T4589.1一2006和GB/T12560一1999的规定.质量评定类别为Ⅱ类. 4.2设计、结构和外形尺寸 4.2.1器件设计、结构 芯片采用硅外延平面结构，将两个独立工作的芯片封装在同一管壳，并实现电性能的独立，封装采 用金属气密式封装. 4.2.2外形尺寸 ...
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