GB/T 42706.2-2023 电子元器件 半导体器件长期贮存 第2部分：退化机理.pdf

ICS31.020 CCS L40 GE 中华人民共和国国家标准 GB/T42706.2-2023/IEC62435-2:2017 电子元器件半导体器件长期贮存 第2部分：退化机理 Electronic ponents-Long-term storage of electronic semiconductor devices- Part 2:Deterioration mechanisms (IEC62435-2:2017 IDT) 2023-05-23发布 2023-09-01实施 国家市场监督管理总局 国家标准化管理委员会 发布 GB/T42706.2-2023/IEC62435-2:2017 目 次 前言 Ⅲ 引言 V 1范围 .1 2规范性引用文件 1 3术语、定义和缩略语1 3.1术语和定义 3.2缩略语 1 4退化类型 2 4.1概述 2 4.2引线镀层的可焊性和氧化 2 4.3“爆米花”效应 2 4.4分层 4.5腐蚀和变色 2 4.6静电影响 4.7高能电离辐射损伤 .2 4.8贮存温度对半导体器件的风险 .3 4.9贵金属镀层 .3 4.10雾锡和其他镀层 3 4.11焊料球和焊料凸点 .3 4.12含可编程闪存、可编程逻辑单元的器件和其他含非易失性存储单元的器件3 5元器件的技术验证 3 5.1目的 .3 5.2试验选择准则 3 5.3测量和试验4 5.4定期评价 5 附录A(规范性)封装和未封装有源元器件的失效机理 7 参考文献 9 I ...