SJ/T 11824-2022 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法.pdf

mosfet,半导体产业,场效应管,其他规范
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ICS31.080.30 CCS L42 SJ 中华人民共和国电子行业标准 SJ/T11824—2022 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)等效电容和电压变化率 测试方法 Test method for effective output capacitance and change rate with voltage of metal oxide semiconductor field-effect transistor 2022-10-20发布 2023-01-01实施 中华人民共和国工业和信息化部发布 SJ SJ/T11824-2022 目次 前言 I 1范围. ...1 2规范性引用文件 3术语和定义. 1 4测试方法.. ...1 4.1等效电容测试 4.1.1通则. .1 4.1.2等效电容测量方法.. ..2 4.2电压变化率测试 4 4.2.1通则. 4 4.2.2电压变化率测试 4 SJ/T11793—2022 前言 本文件按照GB/T1.1一2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规 定起草. 请注意本文件的某些内容可能涉及专利.本文件的发布机构不承担识别专利的责任. 本文件由中国电子技术标准化研究院归口. 本文件起草单位:西安芯派电子科技有限公司、中国电子技术标准化研究院、中国电子科技集团第 十三研究所 本文件主要起草人:罗义、陈周帅、竹永辉、蔡巧、冯海科、侯青、崔波、张秋、侯雨晨、辛石 磊 HO SJ STANDARDS ...

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